第1章节电力电子器件幻灯片.ppt

图1-31　GTR的一种驱动电路 第1章第*页 返回 图1-32　电力MOSFET的一种驱动电路 第1章第*页 返回 图1-33　M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 第1章第*页 返回 图1-34　过电压抑制措施及配置位置 第1章第*页 F?避雷器　D?变压器静电屏蔽层　C?静电感应过电压抑制电容 RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路　 RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路 RV?压敏电阻过电压抑制器　RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4?直流侧RC抑制电路　RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路 返回 本章小结 双极型：电力二极管、晶闸管、GTO、GTR和SITH 复合型：IGBT和MCT 电压驱动型：单极型器件和复合型器件，双极型器件中的SITH 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路 简单，工作频率高 电流驱动型：双极型器件中除SITH外 特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导 通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功 率大,驱动电路较复杂 第1章第*页 ■ 本章小结 ? 当前的格局: IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固 第1章第*页 ■ 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 第1章第*页 返回 ■ 图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 第1章第*页 外形 结构 电气图形符号 返回 图1-3 PN结的形成 第1章第*页 返回 图1-4 电力二极管的伏安特性 第1章第*页 返回 图1-5 电力二极管的动态过程波形 第1章第*页 正向偏置转换为反向偏置 零偏置转换为正向偏置 返回 图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 第1章第*页 外形 结构 电气图形符号 返回 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 第1章第*页 双晶体管模型 工作原理 返回 图1-8 晶闸管的伏安特性 第1章第*页 IG2IG1IG 返回 图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形 第1章第*页 返回 图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性 第1章第*页 电气图形符号 伏安特性 返回 图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 第1章第*页 电气图形符号 伏安特性 返回 图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 第1章第*页 电气图形符号 伏安特性 返回 图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号 第1章第*页 c) 电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 返回 图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形 第1章第*页 返回 图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 第1章第*页 内部结构断 面示意图 电气图形 符号 内部载流子 的流动 返回 图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 第1章第*页 返回 图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形 第1章第*页 返回 图1-18 GTR的安全工作区 第1章第*页 返回 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 第1章第*页 内部结构断面示意图 电气图形符号 返回 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 第1章第*页 转移特性 输出特性 返回 图1-21 电力MOSFET的开关过程 第1章第*页 测试电路 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， 返回 RG—栅极电阻，RL—负载电阻，RF—检测漏极电流 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 第1章第*页 返回 内部结构断面 示意图 简化等 效电路 电气图形 符号 图1-23 IGBT的转移特性和输出特性 第1章第*页 转移特性 输出特性 返回 ?图1-24 IGBT的开关过程 第1章第*页 返回 图1-25 光耦合器的类型及接法 第1章第*页 普通型