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- 2018-03-23 发布于广东
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5、电力MOSFET的主要参数 2.4 典型全控型器件 2.4.3 电力场效应晶体管(Power MOSFET) ◆跨导Gfs、开启电压UT以及开关过程中的各时间参数。 ◆漏极电压UDS ?标称电力MOSFET电压定额的参数。 ◆漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ?标称电力MOSFET电流定额的参数。 ◆栅源电压UGS ?栅源之间的绝缘层很薄,?UGS?20V将导致绝缘层击穿。 ◆极间电容 ? CGS、CGD和CDS ◆漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决 定了电力MOSFET的安全工作区。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 GTR的特点: 双极型,电流驱动,有电导调制效应,导通压降 低,通流能力很强, 开关速度较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂 MOSFET的特点: 单极型,电压驱动,开关速度快,输入阻抗高, 热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单 容量小、耐压低、导通电阻大 将以上两类器件取长补短结合起来,形成复合器件, 称为Bi-MOS器件 2.4 典型全控型器件 绝缘
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