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2018-03-25 发布于天津
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已授权美国发明专利1项JinshuWangWeiliuMeillingZhouYiman

已授权美国发明专利1项： Jinshu Wang, Wei liu, Meilling Zhou, Yiman Wang, Hongyi Li, Tieyong Zuo, Method of Manufacturing a pressed scandate dispenser cathode, US patent, US 7722 804 132, 2010.5 授权已授权国家发明专利21 项： 1) 王金淑，周美玲，张久兴，聂祚仁，左铁镛，二元稀土钼次级发射材料及其制备方法，ZL4 2) 王金淑，周美玲，王亦曼，陶斯武，稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，ZL8 3) 王金淑，周美玲，张久兴，李洪义，三元稀土钼次级发射材料及其制备方法， ZL4 4) 王金淑，周美玲，刘伟，稀土氧化物次级发射材料及其制备方法，ZL 200510002278.3 5)王金淑，周美玲，王亦曼，刘伟，含钪扩散阴极基材粉末原料的制备方法，ZL 200510053831.6 6) 王金淑，刘伟，周美玲，含铈的稀土钼电子发射材料及其制备方法，ZL 200510077234.7 7）王金淑，刘伟，周美玲，王亦曼，高涛，李莉莉，含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法，ZL 200610089745.5 8）王金淑，刘伟，高非，任志远，周美玲，左铁镛，Y O -Lu O 体系复合稀土- 2 3 2 3 钼电子发射材料及其制备方法，ZL200810246837.9 9）王金淑，刘伟，崔云涛，王亦曼，赵雷，张喜珠，杨帆，周美玲，左铁镛，一种含钪扩散阴极材料的制备方法，ZL200910090710.7