CMOS集成电路版图TannerL-Edit设计入门幻灯片.pptVIP

5、进行执行设定、显示设定 6、存储文件，执行对比：设定完成后，开始进行inv.spc文件和inv.sp文件的 对比，选择verification—run命令，可以进行对比。 7、修改电路：如果有误，修改版图，然后再进行对比，直到版图一致为止。 The NAND Gate The NOR Gate The AND Gate 参考文献 Dan Clein，“CMOS IC Layout concepts， Methodlogices,and Tools”，电子工业出版社； 张开华教授，集成电路版图设计专题； www.EDA； ； 等。 Thank you! (三)本课程所用规则的设计-3 铝条最小宽度10um Metal1 Minimum Width =10um 铝条间距最小10umMetal1 to Metal1 Spacing=10um 铝条对铝引线孔最小覆盖2.5umMetal1 surround Contact=2.5um 引线孔距扩散区最小距离5umMetal1 Contact to P-Select spacing=5umMetal1 Contact to N-Select spacing=5um (三)本课程所用规则的设计-4 铝引线孔距多晶硅最小距离5umMetal1 Contact to Poly spacing =5um 多晶硅对引线孔的最小覆盖2.5umPoly surround Metal Contact = 2.5um 压焊点100*100um*um,压焊点距电路30um L-Edit画版图的详细步骤 1、将屏幕改为256色，打开L-Edit程序，系统自动将工作文件命名为L ayout1.sdb； 2、选择save as命令，将文件另存为新文件名； 3、 取代设定：选择Replace setup命令，进行设计规则取代(如果用其他设计规则，可以输入设计规则)； 4、编辑组件，进行环境设定：选择setup—design命令对单位格点等进行设定； 5、选取图层; 6、选择绘图形状; 7、设计规则检查; 8、检查错误：选择file—open命令打开错误记录文件cell0.drc进行查看错误,利用tools—clear error layer命令可清除错误符号; 9、移动对象：利用alt加鼠标拖曳的方式修改对象的大小; 1、将屏幕改为256色，打开L-Edit程序，系统自动将工作文件命名为Layout1.tdb并显示在窗口的标题栏上。 2、选择save as命令，将文件另存为新文件名； 3、 取代设定：选择Replace setup命令，进行设计规则取代； 4、编辑组件，进行环境设定：选择setup—design命令对单位格点等进行设定； 5、选取图层： 6、选择绘图形状： 7、设计规则检查： 设计规则检查 8、检查错误：选择file—open命令打开错误记录文件cell0.drc进行查看错误,利用tools—clear error layer命令可清除错误符号; 9、移动对象：利用alt加鼠标拖曳的方式修改对象的大小; PMOS版图举例 简单PMOS的版图 画PMOS版图的详细步骤： 1、将屏幕改为256色，打开L-Edit程序，系统自动将工作文件命名为L ayout1.sdb； 2、选择save as命令，将文件另存为新文件名； 3、 取代设定：选择Replace setup命令，进行设计规则取代； 4、编辑组件，进行环境设定：选择setup—design命令对单位格点等进行设定； 5、选取图层：在左边有个图层面板，可以选择要药绘制的图层； 6、绘制N Well：L-Edit编辑环境假设是P衬底，所以可以直接绘制N Well区域； 7、绘制Active 图层，即工作区； 8、截面观察：选择命令tools—cross-section命令，可以模拟在基板上根据版图制作出来的结果； 9、设计规则检查：版图必须配合设计规则进行绘制，利用DRC可以确保流程效率。 10、绘制P Select图层：定义P型掺杂的 范围， P Select图层和Active交集处定义为pdiff； 11、绘制poly 图层; 13、绘制Metal1图层;进行DRC检查后保存结果. 12、绘制Active Contact图层：用来作源/漏信号外接连线; 6、绘制N Well：L-Edit编辑环境假设是P衬底,所以可以直接绘制N Well区域； 7、绘制Active 图层，即工作区； 8、截面观察：选择命令tools—cross-section命令，可以模拟在基板上根据版图制作出来的结果； 9、设计规则检查：版图必