[工学]电工与电子7到14章教案.pptVIP

(1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE ,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0, IC=ICEO , UBE死区电压 称为截止区。 (1-*) ·输出特性三个区域的特点： 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC = ? IB , ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE ?UBE ， ? IB IC，UCE ? 0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB = 0 ， IC=ICEO ?0 (1-*) 例1： ? =50，UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UB = -2V，2V，5V时， 晶体管工作于何种状态？ 解：① UB =-2V时： IB = 0 ， IC = 0 晶体管工工作于截止区 ② UB =2V时： IC最大饱和电流： IC UCE IB UCC RB UB C B E RC UBE ICICmax ，工作于放大状态 (1-*) 例1： ? =50，UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UB = -2V，2V，5V时， 晶体管工作于何种状态？ IC UCE IB UCC RB UB C B E RC UBE ③ UB =5V时: 晶体管工作于饱和状态，此时IC ≠?IB 。 (1-*) 7．5．4 主要参数 直流放大倍数： 交流放大倍数： 1. 电流放大倍数和 ? ·晶体管的参数是设计电路，选择元件的依据。 ?IB和?IC为IB和IC的变化量 近似处理： ? = 例2：UCE=6V时：IB =40 ?A, IC =1.5 mA；IB = 60 ?A, IC =2.3 mA；求： 和? 。 解： (1-*) 2. 集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO ：发射极开路、集电结反偏时，由少子的漂移形成的反向电流，数值很小，但受温度变化影响大。 ICBO越小越好。 (1-*) B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (1-*) 4. 集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的? 值的下降，当? 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5. 集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 (1-*) 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC ? PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 (1-*) ·场效应管是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 7.6 场效应晶体管简介 ·应用最多的是金属 - 氧化物 - 半导体 场效应晶体管 Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor 简称MOS管 · MOS管按导电沟道的不同分为：N沟道和P沟道 按工作方式不同分为：增强型与耗尽型 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 ·场效应管有两种: 1. 分类 · MOS管的四种类型： N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道增强型 P沟道耗尽型 (1-*) 2. 结构和特点 P N N G S D 栅极 G 源极 S 漏极 D B E C IB IE IC NPN三极管 ·三极管: IC = ? IB ，IB 控制IC ；电流控制器件。 ·MOS管: ID = gUGS ，UGS 控制ID；电压控制器件。 ·以N 沟道增强型MOS管为例 (1-*) 3. 特性曲线 ·转移特性曲线： 漏