在离子镀中轰击离子的能量取决于基片加速电压.pptVIP

1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（1/4） （1）首先是在溅射与淀积混杂的基础上，由于蒸发粒子不断增加，在膜基界面形成“伪扩散层”。即膜基界面存在基片元素和蒸发膜材元素的物理混合现象：即在基片与薄膜的界面处形成一定厚度的组分过渡层。这种过渡层，可以使基片和膜层材料的不匹配性分散在一个较宽的厚度区域内，从而缓和了这种不匹配程度。对提高膜基界面的附着强度十分有利。 1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（2/4） 例： 直流二极型离子镀：银膜与铁基界面间可形成100nm厚的过渡层。 磁控溅射离子镀：铝膜铜基时，过渡层厚度为1-4?m。 而且负偏压越高，过渡层越厚。 1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（3/4） （2）离子轰击使基片表面形貌受到破坏，可能比未破坏的表面提供更多的成核位置，成核密度较高。由于这种特有的微观结构(形貌粗糙、缺陷密度高)，加之表面沾污物的清除以及阻碍扩散和反应成核的障碍层的破坏，也将为淀积的粒子提供良好的核生长条件。 1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（4/4） 此外，膜料粒子注入表面也可成为成核位置。 较高的成核密度对于减少基片与膜层界面的空隙十分有利。这也是离子镀具有良好附着力的原因之一。 2、对