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[信息与通信]CMOS集成电路制造过程
CMOS集成电路制造过程 N-WELL IMPL P31,160Kev PR STRIP ASI CLEAN A PRE IMPL OXIDE Tox=2200±200? THK MEAS 15:1HF ETCH NITRIDE SRTIP THK MEAS Tox350? P-WELL IMPL BF2,60Kev CLEAN A WELL DRIVE-IN 1150℃ THK MEAS Tox=1000±200? 测与走道上不同色位置 THK MEAS Tox=2400±300? 测走道上氧化层 6:1 BOE STRIP 10Min PAD OX Tox=350±30? THK MEAS CLEAN A NITRIDE DEP Tn=1500±150? THK MEAS DI WATER CLEAN HMDS PR COAT 9300? NITRIDE ALIGN MASK: AC DEVELOP ADI P-FIELD （1） HMDS PR COAT 9300? P-FIELD ALIGN MASK: PF DEVELOP ADI P-FIELD （2） HARD BAKE P-FIELD IMPL BF2,60Kev PR STRIP ASI P-FIELD （3） CLEAN A FIELD OX Tox=5500±300? THK MEAS P-FIELD （4） 15:1 HF ETCH NITRIDE STRIP THK MEAS Tox350? 测走道上氧化层厚度 15:1 HF ETCH THK MEAS Tox20? 测走道上氧化层 THK MEAS Tox5000? 测PAD位置氧化层 Gate Oxide Vt adjust ( 1 ) CLEAN A SAC OX Tox=350±30? THK MEAS Gate Oxide Vt adjust ( 2 ) VT IMPL B11,30Kev, 15:1 HF ETCH THK MEAS Tox20? 测走道上氧化层 THK MEAS Tox4500? 测PAD位置氧化层 Gate Oxide Vt adjust ( 3 ) CLEAN B GATE OX Tox=250±20? THK MEAS 测走道上氧化层 POLY DEP Tp=4200±300? THK MEAS POLY N+DIFF Rs=13-20 ohm/sq P-GLASS STRIP RS MEAS THK MEAS Tox3600? POLY ( 3 ) HMDS PR COAT 9300? POLY ALIGN MASK : P1 DEVELOP ADI HARD BAKE POLY DRY ETCH N+ HMDS PR COAT 9300? N+ ALIGN MASK: N+ DEVE
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