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[信息与通信]LED及LED照明简介

LED发展 LED封装形式 LED发光原理 LED的色彩 LED与传统光源比较 LED 发 展 LED材料发展史 发光二极管于1968GaAsP红光LED首先被商业化,其光电转换效率仅约0.1 AlGaAs是最早被开发完成,并大量生产的高亮度LED,其能隙宽度恰好适合于制作高亮度红光 AlInGaP适合制作高亮度红,橘,黄及黄绿光LED,商业上以MOVPE磊晶法进行 InGaN材枓适合于高亮度深绿,蓝,紫及紫外光LED之使用 日亚自1993年开始量产蓝光LED后,陆续推出蓝光,深绿光LED及紫外,白光等InGaN为基础之各式LED 早期LED外观形式 LED封装形式 LED的不同型态 LED封装发展 LED发光原理 AlInGaP chip package enhancement InGaN chip package efficiency improvement LED材料产生之波长范围 LED的散热方式 LED的色彩 Mixing of three colors (RGB) 色温 LED与传统灯具光源比较 照明史上革命性的突破进展 光源的相对尺寸 系統效率: 傳統光源 vs LED 半导体 (LED)照明的优势 vs. 传统光源 超长寿命 (50-100K Hours) – 减少维修成本 省能源 – 每瓦流明已高于白白炽灯和卤素灯炮 体积超小, 无限的设计弹性 絶佳的光学控制, 可达成最大的系统效率 饱合鲜艳的色彩, 无须滤(色)片即可制造彩色 絶佳的色彩/色温控制 无紫外线; 无红外线 全域调光 – 不会造成色彩差异 固态式照明, 完全不怕振动 瞬时点亮 1,000,000,000 以上点灭 光源不含水银 可冷启动 (可于 -40°C 点灯) 光源本身为低伏的DC驱动 Thank you! 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 W bG BG gB B P rP RP pPK PK OPK pR R rO yO 520 540 560 570 580 590 600 770 nm gY YG yG G 450 380 470 480 C D E B 10,000 6,500 4,800 3,500 2,856 A O 8 610 620 x - Color Coordinate y - Color Coordinate 650 500 490 510 530 InGaN Color Range AlGaAs Color Range GaP Color Range AlInGaP Color Range Y Y 5 mm Lamp Heat LED Chip Heat 負極 Pin - + PCB 銅箔 SuperFlux 負極導片 Slug LED Chip 正極導片 塑膠主體 光學透鏡 散熱源 金屬 負極 LED Chip PC Board 色彩的座标CIE1931 Dominant Wavelength: RED=629nm GREEN=530nm AMBER=590nm CYAN=505nm BLUE=470nm ROYAL BLUE=455nm 白光LED发光原理 发出白光的方式主要可分成两种(见表二),一种是单晶型,这种方式与日光灯的发光方式一样,就是把蓝光加上黄色荧光粉或紫外光LED加上RGB三波长荧光粉来产生白光。另一种是多晶型,即利用互补的2色或把3原色做混光而形成白光。若采用多晶型的方式,基于不同LED的驱动电压、发光输出、温度特性及寿命各不相同,因此造成用此方法会有很多要控制的因素,也使得所产生的成本亦较高;若采用单晶型,则只要用一种元素即可,而且在驱动回路上的设计会较为容易,因此,可以发现目前多数厂商较倾向往单晶型的方式来做研发的方向 將3原色裝成一組 InGaN AlInGaP AlGaAs *蓝色LED 绿色LED 红色LED 將互补的2色装成一組 InGaN GaP AlInGaP 蓝色LED 黃绿色LED 蓝绿色LED 橙色LED 多晶型 以紫外光激发RGB萤光粉(原理同萤光灯) InGaN/RGB三波长萤光粉 *紫外光LED 以蓝色光激发萤光粉(黃色发光) InGaN/YAG黃色螢光粉 *蓝色LED 单晶型 发光原理 发光元素与萤光材料 激发源 方式 如何制造出白光 以R,G,B混出白光 470 525 590 630 (nm) Blue Peak Green Peak Red Peak 蓝光晶片外部覆盖萤光粉 470 525 590 630 (nm) Blue LED Spectrum Phosphor Emission Combined Spectrum Phosphor

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