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主要內容 1-1 電阻基本概念 1-2 電阻器的類別 電阻 1-3-1 碳膜電阻 1-3-2 金屬膜電阻 1-3-3 繞線電阻 1-3-4 熱敏電阻 1-3-5 半可調電阻 1-3-6 電位器 1-3-7 排阻 1-3-8 色環阻值表示法 1-6 溫度系數 1-7 檢測方法 2-1 電容概述 2-2 電容器的種類與特點 2-3 常用固定電容的標稱容量系列 2-4 電容的類別和符號 2-5 電容器的標志 色標法 常見電容圖識 2-6.電容器的主要參數 2-7.電容器的檢測 2-8.電容器使用常識 Cisco電容命名規則: 3-1 半導體概述 3-2 半導體基礎知識 3-2-2 雜質半導體 3-2-3 PN結的形成 3-3 PN結的單向導電特性 3-4 二極體(Diode) 3-4-2 常用二極體作用 3-4-3 穩壓管作用 3-4-3 穩壓管作用 3-4-3-2 串聯型穩壓電路 THE END! 導電能力介於導體與絕緣體之間的物質，稱為半導體。 半導體之所以被用來制作電子元器件，是因它的導電能力在外界某種因素下發生顯著的變化： 1.半導體的導電率可因加入雜志而發生顯著變化。 2.溫度的變化，也會使半導體的導電率發生顯著變化。 3.光照可以改變半導體的導電率並產生電動勢。 3-2-1 本征半導體 ------沒有雜質而且晶體結構完整的半導體 价电子 ＋4 空穴 自由电子 a b c ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 共价键的两 个价电子 （a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 ------在本征半導體中人為摻如少量其他元素（雜質） （a）N 型半導體(在本征半導體中摻入少量五價元素) 磷原子 自由電子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 内电场 P区 N区 P区 N区 空间电荷区 3-3-1 PN結的正嚮導通特性 R 外电场 内电场 IR 空穴 (多数) 电子 (多数) N P 变薄 N P 变厚 IR≈0 R 外电场 内电场 电子 (少数) 空穴 (少数) 正向偏置 反向偏置 (1) 在正向電壓下，當正向電壓較小時，電流極小。而當超過某一值時（硅管約為0.6V，鍺管約為0.2V），電流很快增大。 (2) 在反向電壓作用下，當反向電壓不大時，反向電流隨反向電壓的增大而稍有增大，但變化極微小。當反向電壓超過某一值時，反向電流急劇增大。 3-4-1 特性曲線 uv/V ? ? ? ? 0 15 10 5 ? ? （μA） iv/mA ? ? ? ? A B B′ A′ -5 IR 0.2 0.4 0.6 0.8 ? ? ? ? C′ D′ D C -30 -U（BR） 硅 锗 圖 二極體伏安特性曲線 特點: 簡單，但缺點是紋波大，交流電源的 另外半周未被利用，故輸出平均電壓低。 3-4-2-1 單相半波整流 3-4-2-2 單相全波整流 特點: 克服了半波的某些缺點。即利用了電源的 另外半周，減小了紋波。但變壓器的次極 線圈隻有一半時間導電。另外二極體承受 的反向電壓較高。 特點：充分利用交流電源的正負半周，二極體承受的反向電壓隻有全波時的一半。 缺點是低電壓整流時，二極體正向電壓變得不可忽略，相對全波時輸出電壓要低一點。 3-4-2-3 單相橋式整流 橋式整流電路的工作原理如下：e2 為正半周時，對D1 、D3 和方向電壓，Dl，D3 導通；對D2 、D4 加反向電壓，D2 、D4 截止。電路中構成e2 、Dl、Rfz 、D3 通電回路，在Rfz ，上形成上正下負的半波整洗電壓，e2 為負半周時，對D2 、D4 加正向電壓，D2 、D4 導通；對D1 、D3 加反向電壓，D1 、D3 截止。電路中構成e2 、D2 Rfz? 、D4 通電回路，同樣在Rfz 上形成上正下負的另外半波的整流電壓。 定義：一般二極管都是正嚮導通，反向截止；加在二極體上的反向電壓、如果超過二極體的承受能力，二極體就要擊穿損毀。但是有一種二極體，它的正向特性與普通二極體相同，而反向特性卻比較特殊：當反向電壓加到一定程度時，雖然管子呈現擊穿狀態，通過較大電流，卻不損毀，並且這種現象的重複性很好；反過來著，只要管子處在擊穿狀態，儘管流過管子的電在變化很大，而管子兩端的電壓卻變化極小起到穩壓作用。這