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电力电子器件 电力电子器件概述 不可控器件——电力二极管 半控型器件——晶闸管 典型全控型器件 电力电子器件 信息电子技术的基础 电力电子器件的概述 电力电子器件的概念与特征 电力电子器件的分类 电力电子器件的概念与特征 电力电子电路的基础 —— 电力电子器件 概念: 2.特征 同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征： 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类： 按照器件工作的驱动信号的性质，分为两类： 不可控器件—电力二极管 PN结与电力二极管的工作原理 电力二极管的基本特性 电力二极管的主要参数 电力二极管的主要类型 PN结与电力二极管的工作原理 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装 PN结形成过程 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。 PN结的性质 PN结的正向导通状态 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。 电力二极管和普通二极管的区别 电力二极管的基本特性 1. 静态特性 主要指其伏安特性 电力二极管的基本特性 2. 动态特性 延迟时间 td= t1- t0, 电流下降时间 tf= t2- t1 反向恢复时间 trr= td+ tf 恢复特性的软度 Sr =tf /td， 这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。 电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较大。 正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，UFP越高 。 电力二极管的主要参数 1.正向平均电流IF(AV) 在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值（额定电流） 电力二极管的主要参数 3. 反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3 使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定 电力二极管的主要参数 5. 反向恢复时间trr trr=td+tf ，关断过程中，电流降到零起到 恢复反向阻断能力止的时间。 6. 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几 个工频周期的过电流。 电力二极管的主要类型 1. 普通二极管 优点：正向电流定额和反向电压定额可以达到很高， 分别可达数千安和数千伏以上。 缺点：反向恢复时间较长，多用于开关频率不高的整 流电路中 半控型器件—晶闸管 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的基本特性 晶闸管的主要参数 晶闸管的派生器件 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装 定性：外电路注入电流，在管内形成强烈的正反馈，最终使器件饱和导通。 晶闸管的其他几种可能导通情况 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 晶闸管的基本特性 1. 静态特性 2. 动态特性 晶闸管的主要参数 1. 电压定额 晶闸管的主要参数 2. 电流定额 晶闸管的主要参数 3. 动态参数 晶闸管的派生器件 1. 快速晶闸管（FST) 优点：开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 2.双向晶闸管 3. 逆导晶闸管（RCT） 4. 光控晶闸管（LTT） 典型全控型器件 门极可关断晶闸管 电力晶体管 电力场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 门极可关断晶闸管-GTO GTO的结构 工作原理 GTO与普通晶闸管在设计上有如下区别： GTO的动态特性 GTO的主要参数 GTR的结构 工作原理 (1)? 静态特性 (2)? 动态特性 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 实际使用时，为确保安全，最高工作电压很低。 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 安全工作区由最高电压UceM、集电极最大电流IcM、 最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 N沟道增强型电力MOSFET的结构 UGS控制导电沟道的厚度（沟道电阻）， 进而控制电力MOSFET的开通与关断 漏极电流ID和栅源间电 压UGS的关系称为MOSFET 的转移特性。 2)???动态特性 注意：1、MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低 驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 2、开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 电力MOSFET的主要参数 绝缘栅双极晶体