[信息与通信]集成电路版图设计与工具.pdfVIP

集成电路设计基础 集成电路设计基础 8章集成电路版图设计与工具 8.3 图元 集成电路设计中的基本概念 1、原理图 2、版图 版图设计 （物理层设计） 版图设计的目标：实现电路正确物理连接，芯片面积最 小，性能优化（连线总延迟最小） 版图设计的重要性： 电路功能和性能的物理实现； 布局、布线方案决定着芯片正常工作、面积、速度； 经验很重要。 版图设计包括： 基本元器件版图设计； 布局和布线； 版图检验与分析。 硅芯片上的电阻？电容？电感？晶体管？连线？ CMOS集成电路基本工艺流程 contact via N阱 G G P衬底N阱单poly工艺 S D S D B B 0.35 m 6.5nm 注： 为形成反型层沟道， 200nm P衬底通常接电路的 薄氧 最低电位(vss/gnd)。 有源区 N阱 1.2 m N阱通常接最高电位 （vdd ）。 700 m P型衬底 CMOS基本工艺中的层次 导体：各金属层； 半导体：多晶硅、N+掺杂区、P+掺杂区、阱区； 绝缘介质：各介质层 （氧化硅，氮化硅）； 版图设计：充分利用各层特性来设计真实的元器件。 N阱 P型衬底 硅芯片上的电子世界-- 电阻 电阻：具有稳定的导电能力 （半导体、导体）； 芯片上的电阻：薄膜电阻； 宽度：微米 薄膜电阻 厚度：百纳米 硅片 电阻的版图设计 能与CMOS工艺兼容的电阻主要有四种： 扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻、MOS 电阻 （1）多晶硅电阻 最常用，结构简单。在场氧（非薄氧区域）。 多晶硅电阻（poly） 辅助标志层： res_dum 为什么电阻要做在 P型衬底