高密度三维封装中TSV热应力分析开题报告文档.docVIP

毕业设计（论文）学生开题报告 课题名称 高密度三维封装中TSV热应力分析 课题来源 老师拟定 课题类型 BX 指导教师 聂 磊 副教授 学生姓名 陈少平 学 号 1210132132 专业班级 测控（12质量1） 本课题的研究现状、研究目的及意义 1947 年，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，带领人类从此进入飞速发展的电子时代。 1959 年，第一块集成电路在 TI 公司诞生，标志着人类进入微电子时代。此后，半导体行业以其飞速术革新令世界瞩目，短短几十年间，半导体行业已经超越汽车工业成为世界第一大产业，如今在生活的各个角落都离不开半导体的身影。 半导体自诞生的那天起就一直在朝着尺寸更小，速度更快，集成度和可靠性更高，以及价格更低的道路上努力发展。早在 1964 年，仙童半导体公司创始人之一摩尔博士就预言集成电路上的晶体管数目将会以每 18 个月翻一番的速度稳定增长，并在今后数十年保持这种势头。这一预言确实得到了证实，集成电路经过 SSI（小规模集成电路），MSI（中规模集成电路），发展到 LSI（大规模集成电路），VLSI（超大规模集成电路）以及 ULSI（特大规模集成电路）。如今，微电子技术已经进入纳米尺度，逐步逼近了材料的物理极限。继续按照摩尔定律缩小MOS 管尺寸变得不再可靠，因此，业界将更多的目光投向了发展空间巨大的电子封装技术，通过将多个芯片堆叠起来的三维封装技术被认为是最有希望在未来实现“超越摩尔定律”的新技术，目前，针对三维封装工艺以及可靠性的研究已成为炙手可热的研究内容。 一般的微电子封装技术是在 X 与 Y 平面内完成的二维封装，随着手机等便携式电子产品对小型化、高密度、多功能要求的不断提高，而碳纳米管等新材料的运用还遥遥无期的时候，人们把关注集中到了芯片封装的 Z 方向。三维封装是在 Z 方向实现芯片的堆叠，它是一种高级的三维系统级封装（System in Package，Si P）。 三维封装有两种形式，芯片堆叠与封装堆叠。实现三维封装的技术方案有很多，其中最主要的技术方案有多芯片堆叠（Multi-Chip Stacking），封装堆叠（Po P，Package on Package）以及硅通孔（TSV，Through Silicon Via）封装。 最近几年，由于硅通孔 (through-silTSVon vias，TSV) 技术具有推动摩尔定律不断发展的潜力，再加上它所具备独特的小外形因数和高性能 3D 芯片系统能力，因此受到工业界的广泛认可。3D TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。与以往 TSV封装键合和使用凸点的叠加技术不同，TSV 能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，大大改善芯片速度和低功耗的性能。为了在容许的成本范围内跟上摩尔定律的步伐，在主流器件设计和生产过程中采用三维互联技术将会成为必然。 国内封装产业发展现状 国内封装产业随半导体市场规模快速增长，与此同时，TSV设计、芯片制造和封装测试三业的格局也正不断优化，形成了三业并举、协调发展的格局。作为半导体产业的重要部分，封装产业及技术在近年来稳定而高速地发展，特别是随着国内本土封装企业的快速成长和国外半导体公司向国内转移封装测试业务，其重要性有增无减，仍是TSV产业强项。 境外半导体制造商以及封装代工业纷纷将其封装产能转移至中国，近年来，飞思卡尔、英特尔、意法半导体、英飞凌、瑞萨、东芝、三星、日月光、快捷、国家半导体等众多国际大型半导体企业在上海、无锡、苏州、深圳、成都、西安等地建立封测基地，全球前20大半导体厂商中已有14家在中国建立了封测企业，长三角、珠三角地区仍然是封测业者最看好的地区，拉动了封装产业规模的迅速扩大。另一方面，国内芯片制造规模的不断扩大，也极大地推动封装产业的高速成长。为了降低成本，近年来许多封测企业选择中西部地区新建工厂。英特尔成都封测厂拥有国际最先进的晶圆预处理流程技术，制造周期可缩短30%～50%，英特尔全球50%以上的处理器都出自成都工厂。一部分集成器件制造商及封测代工企业将产能转移至中西部地区，这种趋势将会持续数年。 尽管如此，TSV产业仍喜忧参半。在2010年，国内TSV市场规模扩大到7 350亿元，其产业规模与市场规模之比始终未超过20%，如扣除接受境外委托代工的销售额，则实际国内自给率还不足10%，TSV已连续多年超过石油和钢铁进口额的总和，成为国内最大宗的进口商品。美欧日韩等凭借技术领先战略，主导着产业和技术发展方向，CPU、存储器、微控制器、数字信号处理器等量大面广的通用TSV产品基本依赖进口。国内TSV设计、制造、封测在核心技术与产品的研发和商品化方面，其竞争实力有待进一步加强。在超大规模TSV方面，需要对封装、引线精