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叶德枢 物理与电子信息学院 题 目： 过渡金属硫族化合物低维材料NbSe2超导电性的研究 作 者： 叶德枢 03物理本科 指导师： 王洪涛 日 期： 2007年5月 前言 超导科学技术是当代凝聚态物理最重要的研究领域之一，是当代材料科学的一个十分活跃的重要前沿；同时超导技术又是一门有广泛应用和巨大发展潜力的高技术领域，在能源、信息、交通、科学仪器、医疗、国防和重大科学工程方面将有重要意义。 低温超导的研究在当代凝聚态物理方面占很大的比重。NbSe2是一种二维层状金属硫化物，分别在30K附近发生CDW转变，在7.2K附近发生超导转变（低温区域80K-0.3K）。本文通过制备NbSe2及相关文献整理，对晶体NbSe2的各种超导特性进行综述。 零电阻现象 样品的制备 图2 利用化学气相输运法制得NbSe2晶体的过程 NbSe2晶体的XRD图谱 c轴晶格常数分别为12.53? NbSe2晶体的ρ-T曲线 超导转变中点温度Tcmid = 7.1 K, Tc0 =7.05 K NbSe2晶体的磁致电阻和霍尔效应 NbSe2晶体在4.3K下CDW的观测 在4.3K下记录到的NbSe2晶体解理面的原子分辨的STM图像 NbSe2晶体中的重入现象 总结和展望 一、我们采用化学气相输运法制备样品NbSe2晶体具有较为明显的超导电性，超导转变温度Tc和超导零电阻Tco分别是7.1K和7.05K，在30K附近发生CDW转变。出现了CDW和超导电性共存的现象。 二、在对NbSe2晶体中的重入现象研究时我们着重研究了电阻随温度变 化R（T）的关系曲线，还对晶体的磁致电阻和霍尔效应也做了研究。 目前，NbSe2晶体在掺杂情况下的超导电性研究还处于起步阶段， 我们将在今后的工作中继续努力。 谢谢 * * 叶德枢 毕业论文答辩 叶德枢 Hg的电阻随温度变化曲线 图1 叶德枢 原料：铌、硒、碘 研磨（均匀、充分），0.5h 焙烧：998℃-1073℃（真空、密封），24h 退火：400℃（真空、密封），10-15h 制得晶体 叶德枢 图3 叶德枢 样品B2大约在30 K附近电阻率-温度关系上有一个凸包 图4 叶德枢 T50K,保持在RH约为4.8?10-10m3/C T?50K, B2样品的RH迅速减少 B1的RH减少的缓慢 图6，MR随温度的增加而迅速减少 图5 图6 叶德枢 图7 叶德枢 TTc(H)的超导区内出现一个电阻R0的包 图9与图8相比整体向低温方向移动。峰顶和谷底随电流的上升都向低温端偏移 图8 图9 叶德枢