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GaN基材料的特性及其在光电器件领域的应用
目录中文摘要.............................................................1英文摘要.............................................................1一、引言.............................................................2二、氮化镓基材料的特点...............................................42.1 GaN的物理特性..................................................42.2 GaN的化学特性..................................................7 GaN的电学特性.......................................................7三、GaN基材料生长....................................................83.1材料生长技术.....................................................8（1）MOCVD技术...................................................8（2）MBE技术....................................................10（3）HVPE技术...................................................11（4）生长工艺...................................................113.2 材料掺杂......................................................123.3异质结构.......................................................13四、GaN器件制作工艺...................................................14五、GaN材料的器件应用.................................................155.1微电子应用.....................................................155.2光电子应用.....................................................17（1）UV –detector..............................................17(2)LED.........................................................19(3)LD .........................................................20(4)高频、高功率和高温电子器件..................................21（5）固态阴冷器件...............................................21六、结束语............................................................22参考文献..............................................................22GaN基材料的特性及其在光电器件领域的应用董少华中文摘要：GaN材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强、化学稳定性好和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。这些光电子器件包括半导体发光二极管(LED)，激光器(LD)，紫外光探测器(UV-detector)，金属半导体场效应晶体管(MESFET)，高电子迁移率晶体管(HEMT)，以及调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)等。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用。并对今后的发展趋势提出了自己的看法。关键词：GaN 特性 外延生长 半导体器件 Characteristics and Applications i
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