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1. FET 场效应晶体管 简介：什么是FET、MOSFET? MOSFET和JFET结构; MOSFET和JFET的工作原理，栅源电压的控制作用，衬底的空间电荷层状态：积累、耗尽和反型； MOSFET沟道的形成，开启、夹断以及饱和电流的形成； FET的种类：沟道导电类型：N ，P；带电状态变化：增强型、耗尽型等。 2.4. JFET的电导gd和跨导gm 在一定的栅源电压下，漏极电流id与引起漏极电流的漏源电压Vds的比值，称之为JFET的电导； 在漏源电压一定且大于夹断电压下，漏极电流id同引起漏极电流的栅源电压Vgs之比，称之为JFET的跨导； 电导和跨导都有静态的与动态的区分，静态参数是工作点电流电压直接之比；动态参数是工作点附近电流电压的增量之比。 2.4.2.从基本电流方程(7)求JFET跨导gd 2.5.均匀掺杂p-型半导体材料的特殊情况 2.5.均匀掺杂p-型半导体材料的特殊情况（续） 2.7.p-沟道JFET的电流特性小结 * * 2. p-沟道JFET的电流特性 1. FET 场效应晶体管 3.各种MOSFET的结构 三个电极：栅——控制电流通道的门； 源——载流子的源头； 漏——载流子的归宿。 栅源电压、栅氧化层共同对衬底的作用： 积累、耗尽、反型 沟道：源漏间可流通电流且受栅源电压控制电导的电流通道。 开启：栅氧化层下衬底开始反型形成源漏间沟道的状态； 夹断：沟道两侧空间电荷层合拢使沟道中断的状态; 饱和：在给定栅源电压下漏极电流结束随漏源电压线性增加的状态。 2. p-沟道JFET的电流特性 2.1 基本概念回顾 2.2. 沟道内耗尽层边缘点的电位与电荷 2.3.基本的沟道电流方程 2.4. JFET的电导gd和跨导gm 2.4.1.从基本电流方程(7)求动态沟道电导gd 2.4.1.从基本电流方程(7)求动态沟道电导gd 2.5.均匀掺杂p-型半导体材料的特殊情况 2.6.JFET的伏安特性 2.7.p-沟道JFET的电流特性小结 2.8 JFET的符号与共源接法等效电路 2. p-沟道JFET的电流特性 电容 储存电荷的器件 基本单位-法拉 1法拉=1库伦/1伏特 平行板电容量C与一个平行板的面积S成正比，与平行板的距离w成反比，比例系数为介质的介电常数ε。 单位面积电容 2.1 基本概念回顾 电容C是所存储的电荷量Q与所加电压V之比: 也是存储电荷量增量dQ与所加电压增量dV之比： （x,w)处单位面积电容c等于单位面积储存电荷的增量dQ(x,w)同所加电压增量dV(w)之比： p-沟道JFET（上半部）示意图 2.2. 沟道内耗尽层边缘点的电位与电荷 y x z V(w) (x,w) w+dw dV(w) + - L w2 A-w2 w1 n+扩散薄层 耗尽层 A Id D S G P-沟道 注：L:沟道长；A:沟道可能的最大半高度；Z:沟道宽(常量，图未现) 带箭头的Id：定义的电流正方向。 0 V(x,w)是在点（x,w）的电位，而V(x,0) = VG是栅电位。由于是p沟道，因此，反偏加在耗尽区宽度w的电压，以V(w)表示是： 这里Q（x,w）是面电荷密度，且由下式点电荷密度沿面的垂直方向积分定义： 耗尽层边缘（x,w）处单位面积电容应等于（x,w）处面电荷密度的增量与该处的电压增量之比： （1） （2） （3） 该方程式表示：耗尽层边界电压增量dV(w)需要宽度为w的耗尽层以dw的幅度增加，且正比于边界宽度w以及在边界的电荷密度ρ(x,w）。 现在 且从（2）式得到 代入式（1）中，得到重要的结果： （4） 对变上限的积分函数求对其上限的导数，即等于其被积函数 (2) 现在考虑传导到沟道的电流 = （1） y x z V(w) (x,w) w+dw dV(w) + - L w2 A-w2 w1 n+扩散薄层 耗尽层 A Id D S G P-沟道 0 S （5） dR 图1.沟道内元电阻dR示意图 如图1所示，在x和x+dx之间有元电阻dR 2.3.基本的沟道电流方程 x x+dx 因子2是由于底半沟道存在。分母的积分是沟道高度（A-w)的函数。方程（5）两边同乘以ID,能改写为： （5） dx是元电阻dR的长度，S是其截面积，σ是平均电导率 （6） 重写图1所示x和x+dx之间的元电阻dR 沟道电流流过元电阻后反偏电压是跌落的： 由于 ，将式（4）代入该方程（6），积分从x=0到x=L，并注意到w=w1对应于x=0，而w=w2是对应于x=L，则得到公