光热辐射检测器件.PPTVIP

* 3.2.6 光热辐射检测器件 光热辐射检测器是一类基于光辐射与物质相互作用的热效应制成的器件。 特点：光谱响应范围宽（紫外～毫米量级），响应度高，无需制 冷，但响应速度较低。 辐射能 电能 热能 信号输出： 1. 热敏电阻 热敏电阻：吸收入射辐射后引起温升而使电阻改变，导致负载电 阻两端电压的变化，并给出电信号的器件。 特点： ①热敏电阻的温度系数大，灵敏度高，热敏电阻的温度系数常比 一般金属电阻大10～100倍，且为负温度系数。 ②结构简单，体积小，可以测量近似几何点的温度。 ③电阻率高，热惯性小，适宜做动态测量。 ④阻值与温度的变化关系呈非线性。 ⑤不足：稳定性和互换性较差。 热敏电阻的原理 ： 半导体 光 本征吸收，杂质吸收 光生载流子 晶格吸收和自由电子吸收等 晶格振动加剧 热能 器件温度上升，电阻值变化 金属：能带结构外层无禁带，自由电子密度很大，以致外界光作用引起的自由电子密度相对变化较半导体而言可忽略不计。 热敏电阻的温度系数 金属 光 晶格振动加剧 妨碍自由电子定向运动 电阻值略有增加 由金属材料组成的热敏电阻具有正温度系数，而由半导体材料组成的热敏电阻具有负温度特性。 半导体材料热敏电阻的温度系数大约为-3%~-6%，约为白金的10倍以上。所以热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的金属。 热敏电阻的结构 结构：热敏材料制成的厚度为0.01mm左右的薄片电阻粘合在导 热能力高的绝缘衬底上，电阻体两端蒸发金属电极，再 把衬底同一个热容很大、导热性能良好的金属相连构成 热敏电阻。 2.热电偶探测器 P型半导体的冷端带正电，N型半导体的冷端带负电。开路电压UOC与入射辐射使金箔产生的温升ΔT的关系为 UOC=M12ΔT 式中，M12为塞贝克常数，又称温差电势率（V/℃）。 （1）热电偶的工作原理 半导体辐射热电偶： 用涂黑的金箔将N型半导体材料和P型半导体材料连在一起构成热结，另一端（冷端）将产生温差电势。 辐射热电偶：测量辐射能的热电偶。 （2）热电堆工作原理 为了减小热电偶的响应时间，提高灵敏度，常把辐射接收面分为若干块，每块都接一个热电偶，串联起来构成热电堆。 2通道热电堆检测器 4通道热电堆检测器 3.热释电器件 利用热释电效应 (1) 热释电器件的特点 与其它热检测器相比，热释电器件具有以下优点： ①具有较宽的频率响应（工作频率接近兆赫兹），较低的时间 常数（10-4 ~ 3×10-5 s）； ②热释电器件的检测率高； ③热释电器件可以有大面积均匀的敏感面，而且工作时可以不外 加接偏置电压； ④与热敏电阻相比，受环境温度变化的影响更小； ⑤热释电器件的强度和可靠更好，且制造比较容易。 在热检测器中最受重视的是热释电检测器。 (2) 热释电器件的基本工作原理 当温度升高到一定值，铁电体的自发极化突然消失——居里点 铁电体——在外加电场除去后仍保持着极化状态 （自发极 化）。 在居里点以下，极化强度PS是温度T的函数。利用这一关系制造的热敏检测器称为热释电器件。 在恒定辐射作用的情况下输出的信号电压为零，只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 3.2.7 光电检测器件的性能比较 光电检测器件的物理基础：光电效应，光热效应 外光电效应 内光电效应 光生伏特效应 光电导效应 光敏电阻 光电池 光电耦合器件 光电二极管 光电三极管 发光器件 PSD 辐射热计效应 温差电效应 热释电效应 热敏电阻 热电偶，热电堆 热释电器件 光电效应 光热效应 光敏电阻 光敏电阻的符号 照射光度量改变 光敏电阻阻值变化 Ip 变化 光电导： 光电流： 光电池 光电池符号 工作原理图 短路电流: 开路电压: ISC/mA 0 200 400 200 400 40 80 100 VOC/V UL PL IL RM RL/Ω 输出特性： 电路符号： c e 光电二极管 光电三极管 *