冉绍尔-汤森效应及其拓展08300720383王子仪摘要本文研究了.DOCVIP

冉绍尔-汤森效应及其拓展 08300720383 王子仪 摘要：本文研究了电子与充氙闸流管中的氙原子的碰撞规律，得出了散射概率、散射截面与电子能量的关系，对实验结果进行了讨论；并进一步讨论了闸流管中的二分之三次方关系，进行了理论推导，分析了产生误差的主要原因。 关键词: 冉绍尔-汤森 散射概率 碰撞截面 二分之三次方关系 引言 1921年，德国物理学家卡?冉绍尔在研究电子与气体原子的碰撞中发现碰撞截面的大小与电子速度有关。在电子与氩原子的碰撞实验中，冉绍尔把电子能量从100eV一直降到1eV左右。当电子能量较高时，氩原子的散射截面随电子能量的降低而增大；当电子的能量小于十几电子伏特后，散射截面随电子能量降低而迅速减小。1922年，J.S.汤森也发现类似现象。两人的发现不符合经典的气体分子动理论。在经典分子气体动理论中，散射截面与电子运动速度无关，冉绍尔-汤森效应只能通过量子力学来解释。 1 实验原理简述 1.1 冉绍尔-汤森实验 冉绍尔-汤森实验原理图如图一所示，F为重启闸流管的灯丝、K为阴极、M（调制极）与S（屏蔽极）构成加速极，P是收集极，S与P之间为等势区。 灯丝发射电子形成阴极电流IK，在极板的作用下，一部分电子被屏蔽极吸收形成电流IS1，一部分穿越S上的矩形孔以I0进入S与P之间的等势区。在此空间中，电子做匀速运动。 电子与气体原子碰撞，被散射到屏蔽极，形成散射电流IS2，未受散射的电子到达P极板，形成透射电流IP。 因此，有： IK=I0+IS1 、 IS=IS1+IS2 、 I0=IP+IS2 电子散射概率： PS=1-IP/I0 由此可见，要计算电子散射概率，需要测量I0和IP的值。其中I0由IS1和IS2两部分组成，它们不仅与IK成比例，而且它们之间也有一定比例关系，称作几何因子f=I0/IS1，故： PS=1-IP/（fIS1） 几何因子f的测量需要将充气闸流管管端置入77K的液氮中，使气体冻结，管内近似看作真空。此时气体对电子的散射就可以忽略不计，有：f=I*P/I*S 。 如果此时的阴极电流与加速电压保持与常温下测量时一致，则： PS=1-e-nσL，当f1时，IS1≈IS，则总散射面积Q=nσ为： 1.2 二分之三次方关系与氙原子的电离电压 真空二极管工作在空间电荷限制区，阳极电流和阳极电压之间的关系呈二分之三次方关系： I=KV3/2取对数后，有： 对于低气压的充氙闸流管，也能很好地满足二分之三次方定律。 lgI～lgV曲线应该为一条直线，斜率为3/2，当电子能量达到氙原子电离临界值时，电子对氙原子的碰撞，引起氙原子电离，阳极电流迅速上升，曲线突然偏离二分之三次方关系，偏离点就是氙原子的电离电压。 2 测量与结果 2.1 实验装置与测量方法 实验采用ZQI 0.1/0.3型充气闸流管，先采用双踪示波器在交流情况下定性地观察室温和低温条件下各级电流与加速电压的关系。改变补偿电压EC值，仔细观察曲线的变化，初步选定EC值。再改用直流电源，通过调整使IS与IP同时出现示数来精确确定EC；分别测量低温和室温条件下IS、IP以及加速电压Va的值，验证冉绍尔-汤森效应。 对于二分之三次方关系，由于同时要测量Xe原子的电离电位，因此采用弗兰克-赫兹实验中的电压源，记录IS、IP随Va的变化情况即可。 2.2 实验结果与分析 2.2.1 冉绍尔-汤森实验 如图二，为实验测得的氙原子的散射概率、散射截面与电子速度的关系，电子速度的单位用表示： 氙原子的散射截面最小值对应的电子动能约为1.05eV，略大于理论值0.9eV。从实验曲线可以看出氙原子的散射截面与电子速度有关，这是经典气体动理论所不能解释的，只能利用量子力学的观点来说明（之前的实验报告已经解释过，此处不再赘述）。 2.2.2 二分之三次方关系与氙原子的电离电压 如图三，为二极管法测量氙原子电离电压的实验曲线： 实验测得氙原子的电离电压约为13.2eV，相比理论值依然偏大，实验值比理论值偏大是实验室这几台仪器共有的问题，考虑原因，应该是在K极板有电子积累，形成电势差（这个只在低Va时才出现，Va变高自动消失），而阴极本身可能也有接触电势差（与Ec的形成类似），而实验中并没有考虑这方面的影响，那么所有测得的电压都比实际值偏大。假设阴极上述电势差为EK，且实验中没有其他误差因素，则：EK=13.2-12.1=1.1V。 如图四，为不同灯丝电压下的实验曲线，可以发现：当灯丝电压升高时，实验测得的电离电压有所下降（2.5V时约为12.9V，而2.0V时约为13.3V），这也进一步佐证了阴极电势差的存在。消除这个电势差，可以通过调整灯丝电压至合适值，获得符合理论的结果（在低Va时，如果增大Ef，反而会使空间电荷电势差增大，只有在电压足够高能够使电子全部脱离