[工学]13低频电子电路2.ppt

当VDS增加到使VGD ?=VGS(off)时 → A点出现预夹断 若VDS 继续?→A点下移→出现夹断区 此时 VAS =VAG +VGS =-VGS(off) +VGS （恒定） 若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l 不变（即Ron不变）。 因此预夹断后： VDS ? →ID 基本维持不变。 N G S D + VGS P + P + VDS + - A N G S D + VGS P + P + VDS + - A 利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。 JFET工作原理： 综上所述，JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。 NJFET输出特性 非饱和区(可变电阻区) 特点： ID同时受VGS与VDS的控制。 条件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 2. 伏安特性曲线 线性电阻: ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V 饱和区(放大区) 特点： ID只受VGS控制，而与VDS近似无关。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V 数学模型： 条件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 在饱和区，JFET的ID与VGS之间也满足平方律关系，但由于JFET与MOS管结构不同，故方程不同。 截止区 特点： 沟道全夹断的工作区 条件： VGS VGS(off) IG≈0，ID=0 击穿区 VDS 增大到一定值时 ? 近漏极PN结雪崩击穿 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V ? 造成 ID剧增。 VGS 越负? 则VGD 越负? 相应击穿电压V(BR)DS越小 JFET转移特性曲线 同MOS管一样，JFET的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。 ID =0 时对应的VGS值? 夹断电压VGS（off） 。 VGS(off) ID/mA VGS /V 0 IDSS (N沟道JFET) ID/mA VGS /V 0 IDSS VGS(off) (P沟道JFET ) VGS=0 时对应的ID 值? 饱和漏电流IDSS。 各类FET管VDS、VGS极性比较 由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下： 各类FET管VDS、VGS极性比较 VDS极性与ID流向仅取决于沟道类型 VGS极性取决于工作方式及沟道类型 由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下： N沟道FET：VDS 0，ID流入管子漏极。 P沟道FET：VDS 0，ID自管子漏极流出。 JFET管： VGS与VDS极性相反。 增强型：VGS 与VDS 极性相同。 耗尽型：VGS 取值任意。 MOSFET管 2.2.3 场效应管与晶体管性能比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 晶 体 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q /COX)，使绝缘层击穿，造成MOS管永久性损坏。 MOS管保护措施： 分立的MOS管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS集成电路： T D2 D1 D1 D2一方面限制VGS间最大电压，同时对感 生电荷起旁路作用。 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 N + N + P + P + P U S G D N沟道EMOSFET结构示意图 源极 漏极 衬底极 SiO2 绝缘层 金属栅极 P型硅 衬底 S G U D 电路符号 l 沟道长度 W 沟道宽度 N沟道EMOS管外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏PN结反偏)。 U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。 VGS 0 (形成导电沟道) P P + N +