[工学]康华光第五版模电第5章.pptVIP

N沟道增强型MOSFET结构原理动画 N沟道增强型MOSFET工作原理动画演示 二. 交流参数 1. 低频跨导(互导) gm ： 从转移特性曲线可以求得 跨导gm反映了栅压对漏极电流的控制能力，是转移特性曲线上静态工作点的斜率。gm的单位是mS。 VGS(V) VP ID 0 IDSS Q IDQ VGSQ ID 0 △VGS Q △ ID VDS(V) 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.5 MOSFET的主要参数 ①增强型MOSFET低频互导gm 对增强型MOSFET，其电流方程为： 其中 可以看出增大场效应管的宽长比和工作电流，可以提高gm 从电流方程求互导： 对应工作点Q的gm为： VGS(V) VP ID 0 IDSS Q IDQ VGSQ 5.1.5 MOSFET的主要参数 ②耗尽型MOSFET低频互导gm 其电流方程为： IDQ为直流工作点电流。可见，工作点电流增大，跨导也将增大。 对应工作点Q的gm为： 例1, 已知某一耗尽型N-MOS管的夹断电压VP = -2.5V，饱和 漏极电流IDSS = 0.5mA，试求VGS = -1V时的漏极电流ID 和互导gm。 解：①求ID ②求gm 0.18mA VGS(V) VP ID 0 Q -1V 0.5mA -2.5V IDSS 2.交流输入电阻 rgs FET的交流输入电阻 rgs 很大，MOSFET的rgs可高达1015 ?。 rds 反映了漏-源电压变化量对漏极电流变化量的影响，在恒流区内，是输出特性曲线的切线斜率的倒数。其值一般为若几十kΩ。 rds是FET的小信号模型参数。 vDS vGS iD + + – – iG 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ NMOS增强型 3. 输出电阻rds 5.1.5 MOSFET的主要参数 三、主要极限参数 1. 最大漏极电流IDM VDS VGS ID + + – – 2. 最大耗散功率 PDM( = VDS ID ) 同三极管的PCM 相似。受管子的最高工作温度 及散热条件决定。当超过PDM 时，管子可能烧坏。 3.最大漏-源电压 V(BR)DS 漏极附近发生雪崩击穿时的VDS。 4. 最大栅-源电压 V(BR)GS 栅极与源极间PN结的反向击穿电压 。 正常工作时管子漏极电流允许的上限值 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 与晶体管放大器相似，静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。在场效应管放大器中，由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管uGS=0时，iD≠0，故可采用自偏压方式。而对于增强型MOSFET，则一定要采用分压式偏置或混合偏置方式。 我们可以用两种办法确定直流工作点，一种是解析法，另一种是图解法。 ①、自偏压电路 (适用于耗尽型MOSFET) RG为栅极泄放电阻，泄放栅极感生电荷，通常取0.1～10MW。 RS为源极偏置电阻，作用类似于共射电路的Re，可以稳定电路的静态工作点Q 。 由于IG＝0，所以RG上无直流压降，VG＝0。 由于耗尽型FET在VGS＝0时存在导电沟道，所以电路有漏极电流 ID 。 RL RG ? + ? + C1 C2 vi +VDD RD vo RS 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 VGS=VG ?VS = ?IDRS VDS=VDD?ID(RD+ RS ) 求下图所示电路的静态工作点 VGS、ID 、VDS 先变换为直流通路,再由直流通路的输入和输出KVL方程 和FET的电流方程联合求解： RG +VDD RD RS IG ID ? + VDS VGS RL RG ? + ? + C1 C2 vi +VDD RD vo RS 直流通路 ②假设工作在可变电阻区，验证是否 ③假设工作在线性放大区(恒流区, 饱和区)，验证是否满足 VDS VGS -VP VDS VGS - VP VGS=VG ?VS = ?IDRS VDS=VDD?ID(RD+ RS ) 由上面方程组可以看出：由于电流方程是平方律的关系, 会产生对应的两组解；因此必须根据其解倒推出对应的工作状态以舍弃一组解。 ①须满足VGS VP ，否则工作在截止区 如果是则假定正确，如果否，则假定错误 如果是则假定正确，如