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DIAC也是一種PNPN開關元件,其電路符號如圖(a)所示,基本結構如圖(b)所示,DIAC主要是由兩個蕭克雷二極體(Shockley diode)反向並聯,其外型大致與普通二極體相同,DIAC的動作原理相當簡單,由於DIAC是雙向觸發元件,所以不論兩端的電壓極性如何,只要其外加電壓達到轉態電壓Vbo(轉態電壓依元件規格而定),即可導通,導電後內阻急降形成負電阻區。 雙向觸發二極體(DIAC) * DIAC的應用: DIAC主要是用來觸發閘流體的元件,利用控制觸發電路將訊號傳送到電力控制閘流體閘極的開關元件,亦可用來產生脈波訊號供給電力控制元件的閘極觸發訊號,一般常見的觸發用閘流體元件有PUT、UJT、DIAC等。 * 雙向矽控制整流器(TRIAC) TRIAC一般稱為交流矽控整流器或雙向矽控整流器,它的工作相當於兩個SCR反向並聯,可作交流全波控制,其外觀形式與SCR幾乎完全相同,一般必須由編號規格資料或以三用電表量測,才能區分,其電路符號如圖(a)所示,基本結構如圖(b),亦是一種PNPN裝置。 * 恆壓控制器 Ver 1.0 * TL431 TL431是一是一个有良好的熱穩定性能的三端可調分流基准源。它的輸出電壓用兩個電阻就可以任意地設置到从Vref(2.5V)到36V範圍内的任何值。 圖1是該器件的符號。3個引腳分别為:阴极(CATHODE)、阳极(ANODE)和参考端(REF)。 * 二極體 Ver 1.0 * 基本原理 半導體是導電性介於導體和絕緣體之間的材料,它的電性會隨著所摻雜 (doping) 極微量的不純物而產生改變,其中,按照其本身的電性,將其細分為 本質半導體 (intrinsic semiconductors) 是不含外來雜 質的半導體,因此其本身的任何電性,都是來自於其本身 的性質,如矽 (Si) 和鍺 (Ge); 非本質半導體(extrinsic semiconductors),本身含有數量可觀的外來雜質,所以它的電性並不完全反應自其本身的純態。半導體材料中摻雜了一些第五族的元素,我們將此非本質半導體材料稱之為 n 型半導體,這樣可以造成材料中的負電電子增加;摻雜了一些第三族的元素,稱之為 p 型半導體材料,如此的設計可以造成材料中帶正電的電洞數目增加;藉由摻雜一些摻質的方式,半導體材料原先所具有的電性將可被調整 * 所謂二極體,一般是指一種具有陽極(Anode)與陰極(Cathode) 個端子,而該兩個端子間之電流-電壓特性呈現非直線特性之 半導體元件的總稱 * 這樣的設計可以使電流只能由一個方向通過,我們將其稱之 為二極體整流器 (diode rectifiers)為一結構最簡單的電 力電子元件. * 其作用原理是當陽極(P)電位較陰極(N)為正時,則稱二極體為順向偏壓,此時二極體導通,一個導通的二極體其兩端具有一個很小的順向電壓降,而此壓降之大小與製造過程及接面溫度有關; 反之,當陰極電位較陽極為正時,則稱二極體為反向偏壓,二極體為不導通,此時有一個範圍為μA~mA的反向小電流(亦即漏電流)流過二極體,而此漏電流之大小隨著反向電壓支撐加而緩慢上升,直到達到崩潰電壓為止,使二極體不致於損壞。 * * 動作原理及特性 理想的交換元件是順向偏壓阻抗為0,逆向偏壓時阻抗無限大,而交換二極體是將偏壓由順偏壓轉換至逆偏壓或逆偏壓轉換至順偏壓時,可迅速的處於OFF或ON狀態,一般約4~6ns。 交換二極體的應用 交換二極體又稱為開關用二極體,可適用於電子計算機、電子交換機、脈衝碼調變裝置、及各種控制機器等之小信號交換電路。 交換二極體( Switching diode ) * 橋式整流二極體( Bridge diode ) 動作原理及特性 橋式整流器是由4個二極體構成,其結構如圖所示, * 蕭基特二極體( Schottky diode ) 結構 蕭基特二極體亦稱為熱載子二極體,是一種單載子元件,它的基本結構如圖1-2所示,與一般PN二極體不同,是由金屬導體與N型半導體構成。 * 其使用方法相當容易,只要施加低順向偏壓,便能讓LED動作,通常LED的順向電壓約為1.5~2.5V,而額定順向電流約為10~50mA,若想要控制LED的亮度,最好的方法是控制它的工作電流,不論改變工作電壓值或是改變限流電阻值均可達到此一目的。 發光二極體( Light-emitting diode ,簡稱 LED ) * 齊納二極體 ( Zener diode ) 齊納二極體係一種工作於逆向崩潰電壓區的二極體,所以又稱為崩潰二極體( breakdown diode ),一般二極體若工作於逆向崩潰區大都會燒毀,但齊納二極體可以
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