光电传感器应用技术第2版教学课件作者王庆有第8章节第2节课件幻灯片.pptVIP

8.5 典型线阵CCD图像传感器 8.5.1单沟道线阵CCD图像传感器 前4节讨论了CCD基本工作原理中的一些共性问题，本节开始讨论个性问题，CCD图像传感器有一维与二维之分，通常将一维CCD图像传感器称为线阵CCD图像传感器，将二维CCD图像传感器称为面阵CCD图像传感器。 TCD1209D器件是一种很典型的单沟道线阵CCD图像传感器，掌握它的原理、结构、特性参数对学习类似器件非常重要。 1、基本结构 TCD1209D的像元阵列由2 075个光电二极管构成，其中有27个（前边D13～D31和后边的D32～D39）被遮蔽，中间的2 048个光电二极管为有效的像元。 像元的尺寸为14μm×14μm，相邻两个像元的中心距为14μm。像元总长度为28.672mm。 转移栅、像元阵列与模拟移位寄存器构成如图8-19所示的交叠结构。 转移栅SH既能将光敏区（Up）与模拟移位寄存器（CR1）隔离(SH为低电平)，又能将光敏区与移位寄存器沟通，完成将像元信号转移至模拟移位寄存器，再模拟移位寄存器能够顺利地将信号电荷定向转移。 2、工作原理 3、特性参数 （1）光谱响应特性 TCD1209D的光谱响应特性曲线如图8-21所示。 光谱响应的峰值波长为550nm，短波响应在400 nm处大于70%（实践证明该器件在300nm处仍有较好的响应），光谱响应的长波限为1100nm。 响应范围远远超出人眼的视觉范围。 （2）灵敏度 线阵CCD的灵敏度参数定义为单位曝光量的作用下器件的输出信号电压，即 式中UO为线阵CCD输出的信号电压，HV为光敏面的曝光量。 衡量器件灵敏度的参数常用器件输出信号电压饱和时光敏面的曝光量表示，称为饱和曝光量，记为SE。 饱和曝光量SE越小的器件其灵敏度越高。TCD1209D的饱和曝光量SE仅为0.06(lx.s)。 （8-7） （3）动态范围 动态范围参数DR定义为饱和曝光量与信噪比等于1时的曝光量之比 。 （8-8） （4）转移效率η与损失率ε 电荷转移效率是表征CCD性能好坏的重要参数 。 (8-9) 如果在t＝0时，注入到某电极下的电荷为Q(0)；经过时间t，大多数电荷在电场作用下转移到下一个电极，总有一小部分电荷留在该电极下。设留下来的电荷为Q(t)，则电荷转移效率为 如果电荷转移损失率定义为 (8-10) 电荷转移效率与电荷转移损失率的关系为 (8-11) n次转移前、后电荷量之间的关系为 (8-13) 影响电荷转移效率的主要因素是界面态对电荷的俘获。 常采用“胖零”工作模式，即让“零”信号也有一定的电荷。 图8-22为P沟道线阵CCD在两种不同驱动频率下的电荷转移损失率ε与“胖零”电荷Q(0)之间的关系。 TCD1209D转移效率如此之高就是采用了“胖零”技术，当驱动脉冲加到器件势其正常工作时“胖零”电荷随之注入器件，从器件的输出端OS读出的信号增添了不能通过冷却消除的“暗电流”。 表8-1 TCD1209D的特性参 特性参数 参数符号 最小值 典型值 最大值 单位 备注 灵敏度 R 25 31 37 V/(lx·s) 像敏单元的不均匀性 PRNU 3 10 % PRNU(V) 4 10 mv 饱和输出电压 VSAT 1.5 2.0 v 饱和曝光量 SE 0.04 0.06 lx·s 暗信号电压 VDAK 1.0 2.5 mv 暗信号电压不均匀性 DSNU 1.0 2.5 mv 直流功率损耗 PD 160 400 mw 总转移效率 TTE 92 98 % 输出阻抗 ZO 0.2 1 kΩ 动态范围 DR 2 000 输出信号的直流电位 VOS 4.0 5.5 7.0 v 噪声 NDO 0.6 mv 驱动频率 F 1 20 MHz f1=fR 4、驱动电路 5、外形尺寸