电工学_秦曾煌主编第六版下册_电子技术_第14章节幻灯片.ppt

(14-*) 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (14-*) 4.集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的 ? 值的下降，当 ? 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时，加在集-射极之间的最大允许电压，称为集-射极反向击穿电压。手册上给出的数值是25?C的值。温度上升时，其值将降低。 (14-*) 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 IC UCE 0 ICUCE=PCM (14-*) §14.6 光电器件 发光二极管 光电二极管 光电晶体管 有兴趣的同学自学！ 结 束 (1-*) P，N区由于浓度差，引起N区电子向P区扩散，同样P区空穴也向N区扩散，扩散的结果，在交界面两侧留下不能移动的正负离子，它们之间相互作用，生成一个电场，方向由N区指向P区，由于该电场存在于结合的半导体中，所以称为内建电场 。 漂移运动因内建电场产生，但并不反作用于电场，或者说对电场的作用微乎其微~ 。 二极管电路分析 (14-*) 分析方法： 1. 断开二极管 2. a) 分析其两端电位高低， b) 或其两端所加电压 UD 的正负。 3. a) V阳 V阴 → 导通 V阳 V阴 → 截止 b) UD 0 → 导通 UD 0 → 截止 (14-*) 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例 例1：二极管半波整流 (14-*) 例2：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ? 方法：先判二极管谁优先导通， 导通后二极管起嵌位作用 两端压降为定值。 因：VA VB 故：DA优先导通 DB截止 若：DA导通压降为0.3V 则：VY = 2.7V 解： P12：例14.3.2 DA -12V VA VB VY DB R (14-*) 例3：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ? 方法：先判二极管谁优先导通， 导通后二极管起嵌位作用 两端压降为定值。 因：VA VB 故： DB 优先导通 DA截止 若： DB导通压降为0.3V 则：VY = 0.3V 解： P12：例14.3.2 DA VA VB DB VY +12V R (14-*) ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例4： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – (14-*) U I 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 死区电压 P N + – P N – + 反向电流在一定电压范围内保持常数。 伏安特性： 非线性 (14-*) 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 伏安特性 稳压管正常工作时，需加反向电压，工作于反向击穿区。 使用时要加限流电阻 稳压原理： 稳压管反向击穿以后，电流变化很大，但其两端电压变化很小。 _ + U I O