全版模拟电路之第二章节半导体二极管课件幻灯片.ppt

* 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 * 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 * 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 * 2.4.2 应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） （1）VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） * 例2.4.2 提示 2.4.2 应用举例 2. 限幅电路 * 例2.4.3 提示 2.4.2 应用举例 3. 开关电路 uO D1 VCC 5 V 4.7K uI1 uI2 D2 基本原则： 判断电路中的二极管处于导通状态还是截止状态，可以先将二极管断开，然后观察（或经过计算）阳、阴两极间是正向电压还是反向电压，若是前者则二极管导通，否则二极管截止。 当 、 时，D1为正向偏置， （因二极管是理想的），此时D2的阴极电位为5V，阳极为0V，处于反向偏置，故D2截止。 V v I 0 1 = 二极管“与”逻辑电路 * 2.5 特殊体二极管 2.5.1 稳压二极管 2.5.2 变容二极管 2.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 2. 发光二极管 3. 激光二极管 * 2.5.1 稳压二极管 1. 符号及稳压特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 * (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 2. 稳压二极管主要参数 2.5.1 稳压二极管 * 2.5.1 稳压二极管 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加R可以吗？ # 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ * 作业 2.4.1 2.4.5 2.4.6 2.5.4 四川大学生物医学工程中心 四川大学生物医学工程中心 四川大学生物医学工程中心 四川大学生物医学工程中心 * 2.1 半导体的基本知识 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.2 PN结的形成及特性 * 1 器件物理级 3 结构级 4 系统级 2 晶体管级 电路分析与设计的抽象级别 从器件的内部电场和电荷传输方面考虑分立器件的行为。 根据器件的电特性研究一组器件间的相互作用。 作为一个单元来研究几个组成块的功能。 从组成系统的子系统方面研究该系统的性能。 * 2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 * 2.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 * 2.1.2 半导体的共价键结构 硅晶体的空间排列 * 2.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 * 2.1.3 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 * 2.1.3 本征半导体 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次填充空穴来实现的。 * 2.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 * 1. P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由