高电压技术第2版教学课件作者吴广宁第二章节2.3课件幻灯片.pptVIP

2.3 液体电介质的击穿 关于液体电介质击穿的机理，到目前还很不完善。不少研究得到的实验结果差异大，无法进行分析比较。 近年来随着液体净化技术不断的提高，建立了一些比较粗糙的液体介质击穿理论。 2.3.1 高度纯净去气液体电介质的电击穿理 2.3.2 含气纯净液体电介质的气泡击穿理论 2.3.3 工程纯液体电介质的杂质击穿 本节介绍三类液体介质击穿的理论和观点及其主要的实验基础。 返回 假设液体分子热振能量是量子化的，那么当液体分子基团的固有振动频率为υ时，在与电子的一次碰撞中，液体分子平均吸收的能量仅为一个振动能量子hυ（h是普朗克常数）。 电子在相邻两次碰撞间从电场中得到的能量大于hυ时，电子就能在运动过程中逐渐积累能量，至电子能量大到一定值时，电子与液体相互作用时便导致碰撞电离。 1.碰撞电离开始作为击穿条件 2.3.1 高度纯净去气液体电介质的电击穿理论 设电子电荷为 ， 电子平均自由行程为λ， 电场强度为 ， 则碰撞电离的临界条件为： (2-17) 式中，C——大于1的整数。 击穿场强为 (2-18) ——分子常数； ——组成分子的原子个数； ——液体的密度； ——液体的分子量； ——阿佛伽罗常数； ——各基团固有振动频率的平均值； 直链型碳氢化合物液体的击穿场强与 成正比，与图2-9所示的实验结果一致。 图2-9 直链型碳氢化合物液体Eb与（m-1)(ρ/M）的关系 2.电子崩发展至一定大小为击穿条件 设击穿条件为 d ——电极间距离； A ——常数。 则发生击穿时 (2-20） (2-21） а为液体介质上一个电子沿电场方向行径单位距离平均发生的碰撞电离次数，则а正比于碰撞总数1/λ乘以电离几率e-Chv/(eEλ)，即 (2-19） 说明在其他参数一定时， ∝1/ln(d)， 即液体介质层的厚度减薄时，击穿场强应增大。 所以 (2-22） 返回 气泡击穿理论： 不论由于何种原因使液体中存在气泡时，由 于在交变电压下两串联介质中电场强度与介质介 电常数成反比，气泡中的电场强度比液体介质高， 而气体的击穿场强又比液体介质低得多，所以总 是气泡先发生电离，这又使气泡的温度升高，体 积膨胀，电离将进一步发展；而气泡电离产生的 高能电子又碰撞液体分子，使液体分子电离生成 更多的气体，扩大气体通道，当气泡在两极间形 成“气桥”时，液体介质就能在此通道中发生击穿。 2.3.2 含气纯净液体电介质的气泡击穿理论 1. 热化气击穿 当液体中平均场强达到107～108V/m时，阴极表面微尖端处的场强就可能达到108V/m以上。场致发射，大量电子由阴极表面的微尖端注入到液体中，估计电流密度可达105A/m2以上。 单位体积、单位时间中的发热量 （=电流密度×电场强度）约为1013J/（s· m3 ） 当液体得到的能量（转化为热量）等于电极附近液体气化所需的热量时，便产生气泡。 以产生泡条件作为液体击穿条件，即 式中 (2-22） m ——代表空间电荷影响的常数 ，约在1.5～2之间； T——液体在电极粗糙处强场区滞留的时间； A——常数； C——液体比热； B——液体气化热； E——为液体击穿场强。 式(2-23)可以粗略地估算液体介质的击穿场强。 当液体温度升高时，击穿场强下降。 在研究气体放电对绝缘油的影响时发现，油在放电作用下产生低分子气体，其中主要是氢气、甲烷等，这种化气过程大致如下： CnH2n+2→CnH2n+1+H0 CmH2m+2→CmH2m+1+ H0 2H0→H2↑ CnH2n+1+ CmH2m+1→Cn+mH2(n+m)+2 其中，H0为氢的游离基。 2. 电离化气击穿 这种化气的作用解释为电离产生的高能电子使液体 分