模电第4章幻灯片.pptVIP

5．各种场效应管特性比较 类型 截止区 可变电阻区 恒流区 N沟道JFET P沟道JFET N沟道增强型 MOSFET N沟道耗尽型 MOSFET P沟道增强型 MOSFET P沟道耗尽型 MOSFET 4.1 场效应管 下一页 返回 上一页 4.1 场效应管 下一页 返回 上一页 4.1 场效应管 下一页 返回 上一页 4.1 场效应管 下一页 返回 上一页 4.1.4 场效应管的主要参数 1. 直流参数 (1)开启电压UGS(th) (2)夹断电压UGS(off) (3)漏极饱和电流IDSS和IDO (4)直流输入电阻RGS 4.1 场效应管 下一页 返回 上一页 2. 交流参数 (1)低频跨导gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力，单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS)。相当于转移特性上工作点的斜率。是表征FET放大能力的一个重要参数。 （2）输出电阻rds 说明uDS了对iD的影响。是输出特性某一点上切线斜率的倒数。 （3）极间电容 4.1 场效应管 下一页 返回 上一页 3. 极限参数 (1)最大漏极电流IDM (2)最大耗散功率PDM (3)最大漏源电压UBR(DS) (4)最大栅源电压UBR(GS) 4.1 场效应管 下一页 返回 上一页 4.2.1 场效应管的直流偏置电路与静态分析 场效应晶体管具有输入电阻