模拟电子技术教学课件作者第4版胡宴如教学课件371ch21晶体管的特性与参数幻灯片.pptxVIP

2.1　晶体管的特性与参数 2.1.1 晶体管的工作原理 2.1.2 晶体管的伏安特性 2.1.3 晶体管的主要参数 一、结构与符号 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 PNP 型 分类 按材料分 硅管、锗管 按结构分 NPN、PNP 按使用频率分 低频管、高频管 按功率分 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ～1 W 大功率管 1 W 二、电流放大原理 1. 晶体管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 输入 回路 输出 回路 IE IB IC 发射结正偏 集电结反偏 UCB0集电结反偏 + - UBE0发射结正偏 2.晶体管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： 　　以小电流（IB）控制大电流（IC）的作用，称为晶体管的电流放大作用。 晶体管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) I CBO IB IBN  IB + ICBO 即：