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模拟电子电路 第一章 半导体二极管及其应用 （1）了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成及其特性。 （2）掌握晶体二极管的特性和主要参数。 （3）掌握普通二极管、稳压二极管构成的基本电路的组成、工作原理及分析方法。 基本要求： 本征激发: 一分为二，载流子浓度增加。 复合: 合二为一，载流子浓度减少。 在一定温度下，电子-空穴对的产生与复合同时存在并达到动态平衡时，半导体中的载流子浓度一定。 由于本征激发，在半导体中产生出数量相的 两种载流子：自由电子（负电荷）和空穴（正 电荷）（即电子-空穴对）,使载流子浓度增加。 1. 本证半导体 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素（称为杂质）会使 半导体中的某一种载流子浓度增加，因而会使其导电 性能发生显著变化。与提高温度的原因不同 提高温度会同时增加电子和空穴两种载流子的数量，电子和空穴是成对出现的。 N型半导体 P型半导体 根据掺入杂质的不同可分为 一、N型半导体 在本征Si中掺入少量五价磷(P)元素，因P原子的最外层有五个价电子，故就多出一个键外电子。这个电子受P原子的束缚很弱，很容易被激发而成为自由电子，这样每个P原子因给出一个电子，成了不能移动的带正电的离子，故P原子被称为施主原子。 图 6. N型半导体原子结构示意图 1. 由施主原子电离产生的电子，浓度与施主正离子相同 2. 本征激发成对产生的电子和空穴 这种杂质(N型)半导体中的载流子就有以下两种： 因为掺杂浓度远大于本征激发的载流子浓度，所以， 在N型半导体中： 自由电子--多数载流子，简称多子； 空穴--少数载流子，简称少子 二、P型半导体 在本征Si中掺入少量三价硼(B)元素，因B原子的最外层有三个价电子，故出现一个空位。这个空穴可以吸引邻近Si原子共价键中的束缚电子来填补，这样B原子因接受一个电子而成为不能移动的带负电的离子，同时在邻近产生一个空穴。B原子称为受主原子。 图 7. P型半导体原子结构示意图 与温度几乎无关 与温度密切相关 PN 结的形成步骤 最终，多子的扩散和少子的漂移这一对相反的运动达到平衡，空间电荷区的厚度固定不变。由于这个空间电荷区缺少载流子，所以也称耗尽层。 PN结的形成 P N 耗尽区 内电场UB 图 11. 正向偏置的PN结 E R 外电场U外 + + + + + + + + + + + + + + + IF 2. PN结的单向导电性 一、PN结外加正向电压（正极接P区，负极接N区） 耗尽层宽度减小, 内电场减弱(外电场与内电场方向相反，削弱了内电场), 动态平衡被打破, 扩散运动超过漂移运动,与此同时，电源不断向P 区补充正电荷，向N 区补充负电荷，结果在电路中形成了较大的正向扩散电流IF, 且IF随正向电压的增大而增大 正向PN结表现为一个很小的电阻 图 12.反向偏置的PN结 E R P N 耗尽区 + + + + + + + + + + + + + + + 二、 PN结加反向电压 外电场U外 内电场UB IS 耗尽层变宽, 内电场增强, 动态平衡被打破, 漂移运动超过扩散运动, 因此流过PN结的主要电流是漂移电流，但因为少子浓度很低，所以形成的漂移电流很小IS, 且固定温度下，少子浓度一定不随着外电压变化, 故被称为反向饱和电流。 反向PN结表现为一个很大的电阻 PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻态，相当于PN 结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻态，相当于PN 结截止。 结论：PN结具有单向导电性。 小结： 1. 二极管特性曲线 图 2. 二极管伏安特性曲线 -UBR Uon -IS 在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而减小。 一、特性:反向击穿时，曲线更加陡峭。电流在很大范围 内变化时(IZmin~Izmax), 其两端电压UZ几乎不变。 1. 稳压二极管 §1.4 特殊二极管 图9. 稳压二极管(a)符号及(b)其特性曲线 u i IZmin IZmax 曲线越陡, 稳压性能越好。 UZ 模拟电子线路 C 计算题 3. 半导体二极管的电路模型 由于二极管的非线性特性，当电路加入二极管时，便成为非线性电路。实际应用时可根据二极管的应用条件作合理近似，得到相应的等效电路，化为线性电路 非线性 近似 线性 二极管状态的判断！！！ 4. 二极管基本应用电路 * 习题：