光电子学试验指导书.PDFVIP

实验六 半导体激光器工作特性、远场分布及光谱特性测量 警告：半导体激光器输出为不可见激光，应避免激光输出或其反射光直 接照射到人眼！ 一． 实验目的 1．熟悉半导体激光器的技术参数，掌握半导体激光器的安全使用及操作。 2 ．熟悉半导体激光器波导腔的特性及输出偏振特性，了解PN 结平面及快慢轴方向的分辨。 3 ．了解光功率计的工作原理，掌握半导体激光器的工作特性及其测量，并对LD 的输出耦 合有一基本概念。 4 ．掌握用光线传输矩阵法分析光在光学系统中的传输。 5 ．掌握用CMOS 进行LD 近远场分布测量的原理及方法；了解半导体激光器的远场光强分 布特点；并能进行几何成像变换设计及测量标定。 6 ．理解光与物质共振相互作用中的自发辐射、受激辐射及受激吸收等过程，了解半导体激 光器的谱线加宽机制，了解一般双异质结半导体激光器的多纵模振荡及跳模特性。 7 ．熟悉光栅光谱仪的原理及使用操作，测量半导体激光器荧光谱、激光谱及输出波长与温 度的关系。 8．熟悉用计算机进行视频图像采集、图像数据转换及数据处理。 二. 实验器材 1．半导体激光器：最大输出功率 1000mW，中心波长808nm 附近。 2 ．半导体激光器驱动电源。 3 ．激光显示片。 4 ．球面透镜两块，第一块准直透镜：焦距40mm ，口径30mm ；第二块聚焦透镜：焦距50mm， 口径35mm ；两块透镜表面均未镀激光增透膜。 5 ．柱面透镜（三块，焦距分别为40、50、60mm，尺寸分别为20mm ×20mm ，20mm ×24mm ， 20mm ×28mm ）。 1 6 ．衰减片（2 片，型号分别为ZAB00 （40 ×40 mm ）和ZAB02 （40 ×50 mm ） 7 ．参考屏：细丝框。 8．定标物：刻槽板（标准宽度3mm ）。 9 ．LP-3A 型连续激光功率计，量程分四档：1999uW ，19.99mW，199.9mW，1.999W；探 2 测面面积：Φ10mm ；探测器可承受的最大平均功率密度：200W/cm 。 10． 光谱仪：包括主机、光电倍增管、光电倍增管电源、光谱采集系统及计算机等。 11． 实验平台（含计算机）。 三. 半导体激光器原理 3.1 运行机理 对于典型的双异质结半导体器激光器是靠PN 结正向注入和载流子的复合发光的，要使它发 射激光需具备的条件是：①粒子数反转分布；②有合适的光谐振腔起反馈作用；③满足一定的阀 值条件。 对于条件①一般是采用简并的P 型和N 型半导体构成PN 结，大量的载流子注入PN 结区，成 为反转分布区。对于条件②结型半导体激光器的光谐振腔通常用与 PN 结平面相垂直的自然解理 面构成的平面腔。在作用区内，开始时导带中的电子自发地跃迁到价带和空穴复合，产生相位/ 方向并不相同的光子，大部分光子一产生便穿出PN 结区，但也有一部分光子在PN 结区平面内穿 行，并且在PN 结内行进相当长的距离，因而它们能够激发产生许多同样的光子。这些光子在两 个平行的平面镜间不断地来回反射，每反射一次就得到进－步的放大。这样不断地重复和发展， 就使得这种辐射趋于占压倒的优势，即辐射逐渐集中到平面镜上，而且方向垂直于反射面，形成 激光输出。对于条件③半导体激光器的阀值电流密度为 1 1 J (  ln(R R )) th 1 2  2l （6-1）   l 其中 、 分别为增益因子与损耗因子； 为谐振腔的长度，R1、R2 为两腔镜的反射率。 3. 2 波导腔的特性 半导体激光器其腔结构可看成是一波导腔，在垂直于P-N 结平面方向（横向）一般为对称或 非对称三层波导结构，为降低阈值，其有源层厚度仅为0