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* 真空泵的分类 常用真空泵 的分类 气体传输泵 气体捕获泵 扩散泵 钛升华泵 溅射离子泵 低温冷凝泵 机械泵 分子泵 * 真空的获得 几种常用真空泵的工作压强范围 * 真空的测量 真空测量 绝对真空计 相对真空计 U型压力计 压缩式真空计 放电真空计 热传导真空计 电离真空计 * * 电阻真空计 规管中的加热灯丝是电阻温度系数较大的钨丝或铂丝，热丝电阻连接惠斯顿电桥，并作为电桥的一个臂，低压强下加热时，灯丝所产生的热量Q可表示为：Q=Q1+Q2,式中Q1是灯丝辐射的热量，与灯丝温度有关；Q2是气体分子碰撞灯丝而带走的热量，大小与气体的压强有关。电阻真空计的测量范围大致是105 ～ 10-2Pa。 电阻真空计结构示意图 * 热偶真空计 右图装置为热偶真空计示意图。其规管主要由加热 灯丝C与D和用来测量热丝温度的热电偶A与B组成。测量 时，热偶规管接入被测真空系统，热丝通以恒定的电流， 灯丝所产生的热量Q有一部分将在灯丝与热偶丝之间传导 散去。当气体压强降低时，热电偶节点处的温度将随热丝 温度的升高而增大，同样，热电偶冷端的温差电动势也增 大。热偶真空计的测量范围大致是102 ～ 10－1Pa。 常见气体或蒸气的修正系数 * 电离真空计 电离真空计结构示意图 电离产生的正离子I＋与发射电子流Ie、气体的压强之间的关系为： I＋＝k IeP,其中k为比例常数，存在范围是4 ～40之间。 普通型电离真空计的测量范围是1.33×10－1 ～ 1.33×10－5Pa,无论高于还是低于此测量极限都会使电子流I＋和气体的压强之间失去线型关系。 * Semiconductor materials Lecturer: Aimin Liu Weifeng Liu 刘爱民 刘维峰 半导体材料及器件工艺技术（二） 1光刻技术 2真空镀膜 3晶体制备及液相外延 4磁控溅射 * 实验室常用半导体工艺 （真空镀膜与光刻技术） 1光刻技术 光刻是一种复印图形与化学腐蚀相结合的综合性技术。它先采用照相复印的方法，将光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的基片上。然后利用光刻胶的保护作用，对基片进行选择性腐蚀，从而在基片上得到与光刻版相应的图样 2真空镀膜 真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与表面加工的新技术，是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜，从而使固体表面具有耐磨损、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、导电、导磁、绝缘和装饰等许多优于固体材料本身的优越性能 * 2光刻技术 * * 正胶 负胶 * 基片前处理 匀胶 前烘 曝光 显影 清洗 后烘（坚膜） 腐蚀 去胶 涂胶方法有浸涂法、喷涂法和旋转法等。常用的是旋转法，它又分为旋转板式和自转式两种 * * * 图形必须严格套准 胶膜表面与光刻版必须贴紧，若存在空隙，不应该照到光的地方也会受到光的照射，使图形产生畸变 * * * 蒸发系统 * 辅助 工作架 烘烤电极 活动挡板 蒸发电极 2真空镀膜 * * 在真空中，气体分子密度低，在某些情况下，真空可以近似地看作没有气体“污染”的空间。真空中，气体分子或带电粒子的平均自由程为： 其中为?分子直径，p为压强，T为气体温度，k为玻耳兹曼常数。 真空的基本特点 * 主要方法： (1)电阻加热（铝,金,铬) (2)电子加热（3000C, 难熔金属) （3）感应加热 * * * DM—240 型真空镀膜机 Czochralski Growth * 卓克拉尔斯基法 3晶体制备及液相外延 * * Bulk crystal growth techniques ? Need for bulk crytals ? Liquid Encapsulated Czochralski technique Horizontal Bridgman technique ? Dopant distribution * * * * * * 真空技术基础 真空的基本知识 真空的获得 真空的测量 * 真空度的单位 自然真空：宇宙空间所存在的真空； 人为真空：用真空泵抽调容器中的气体所获得的真空。 几种压强单位的换算关系 * 真空区域的划分 粗真空：1×105～ 1×102 Pa。 低真空： 1×102～ 1×10－1 Pa。 高真空： 1×10－1 ～ 1×10－6 Pa。 超高真空： 1×10－6 Pa。