微电子学概论ch4集成电路制造工艺CMOS工艺课件幻灯片.pptVIP

N衬底 P阱 形成PMOS管的源漏区 在光刻胶上刻蚀出PMOS管源漏区掺杂的窗口，利用光刻胶保护NMOS管区域 自对准离子注入硼，形成P管源漏区、P阱引出 去掉光刻胶（Photoresist） 硼 P+ P+ P+ N衬底 P阱 硼 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻 低温淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻 低温淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 NMOS结构 PMOS结构 N型(100)衬底的原始硅片 P阱(well) 隔离 阈值调整注入 栅氧化层和多晶硅栅 NMOS管源漏注入 PMOS管源漏注入 连线 P N+ N+ Al Al 连线