帕尔贴效应塞贝克效应-湖南大学.pptVIP

形成光生电动势，内部I（光生电动势）IP由N→P，光生电动势使P与N区间出现正向V产生正向注入I，方向P→N，根据PN加V导电机理，流过PN结I： IsPN结反向饱和I； e电子电荷； 光辐射照在PN结，产生光生电动势，相当PN结两端加正向V，PN结势垒由eVD↓eVD-eV。 EC EE EV 内部电流Ip 正向注入I 光电导效应 光伏效应 外光电效应（光电子发射） 内光电效应（光电导效应与光伏效应） 光电效应 光热效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 PN结有外接回路，流经外回路总I与光生I和结I关系： 流经外回路总I=光生I―流过PN结I； V是PN结两端V（包括外加V或光生V）。 流过PN结I PN结反向饱和I 光生I 流经外回路总I 流过PN结I 光电导效应 光伏效应 外光电效应（光电子发射） 内光电效应（光电导效应与光伏效应） 光电效应 光热效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 PN结开路，I=0，开路V： V