晶体硅电池技术发展现状与趋势.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 多晶硅高效电池 Fraunhofer- ?＝ 20.3% * Emitter resistance： 90 ohm/sq Cell thickness： 260　μm Cell size： 15 cm×15.5 cm Kyocera商业化大面积多晶硅电池， ?＝17.7% “d.Blue” cell 1. RIE textured surface 2. SiN process 3. Shallow emitter 4. Grid design 5. Contact metallization 关键技术 * （3） 向薄片化方向发展 1） 硅片减薄 硅片是晶硅电池成本构成中的主要部分。 硅是间接半导体，理论上100?m可以吸收 大部分太阳光。 通过陷光措施，30 ?m可以吸收几乎全部太阳光。 10年内可实现单晶硅120 ?m，多晶硅150 ?m 。 未来可能更簿。 降低硅片厚度是降低成本的重要技术之一。 * 电池硅片厚度的发展： 70年代－450～500 ?m， 80年代－400～450?m