宜普公司GaN晶体管于商业应用已准备就绪第3阶段测试-EPCCo.PDFVIP

可靠性报告 第3阶段测试 宜普公司GaN晶体管于商业应 用已准备就绪：第3阶段测试 宜普电源转换公司质量及可靠性监控总监马艳萍博士 数点都在室温条件下。于适用处，使用的 宜普电源转换公司增强型氮化镓(eGaN ®)功率晶体管虽然与标准 底部填充材料是Loctite FP4549Si 。 功 率 M O S F E T 非 常 类 似 ， 但 可 以 提 供 硅 基 器 件 所 无 法 达 到 的 性 能。宜普功率晶体管采用标准功率转换器拓扑，不仅提高了性能 从表1可以看出，eGaN 晶体管具有超卓的 和 效 率 ， 而 且 能 够 简 单 地 保 持 原 有 设 计 。 宜 普 公 司 到 目 前 为 止 可靠性。在写这篇文章时，已经有超过 的降低风险测 试 包 括 了 替 超 过 8 1 0 个 器件在最大额定值 条 件 下所 810个器件经过了超过96万器件小时的可 做 的 各 种 应 力 测 试 。 而 超 过 9 6 万 小 时 器 件 可 靠 性 测 试 则 验 证 了 靠性测试，而没有发生任何故障。在整个 eGaN晶体管在电源开关应用中代替硅器件已经做好了准备。 应力测试周期内，器件的电气参数保持稳 定。而非商用GaN器件则有几个可靠性问 题，已经在相关文章中报导了。其中两个 主要问题是电流崩塌(动态R )(6-17)和栅 可靠性测试结果概述 压(高温反向偏置，或HTRB) (18-21) DS(ON) 极漏电流劣化 。宜普的eGaN 产品经 对于功率晶体管来说关键的可靠性考虑因 • 栅极至源极偏置条件下的稳定性测 受了各种应力测试，以验证它们在更大应 素包括：(a)当栅极上施加电压使晶体管 试。器件在最大额定温度下承受栅 力条件下仍然能够可靠地工作，及于学术 得到完全增强时，于导通状态时的器件稳 极至源极电压(高温栅极偏置，或 文章中所报告的方法/机制下，没有显示 定性；(b)当晶体管处于电压阻塞模式， HTGB) 明显的劣化现象。 并承受最大至额定漏极至源极电压时，于 • 温度循环(TC)测试 关断状态时的器件稳定性；(c)开关工作 • 温度和湿度测试，偏置电压施加于漏 时的器件稳定性。