微系统制造与试验习题92.PDFVIP

微系統製造與實驗習題 （92） 原理介紹部分 微系統相關材料製程 1. 寫出 SiO 在微機電系統或其製程中的三種主要功用 2 2. 簡述 CVD的製程原理 3. 簡述 PVD的濺鍍製程原理 4. 畫出並簡述 NMOS的製程流程 包含截面圖及光罩( ) 5. PVD依不同加熱源鍍法可分為成哪幾種，並簡單說明？ 6. 舉出五種常用 CVD 製作的薄膜材料及功能？ 7. 比較APCVD, LPCVD, PECVD, MOCVD的優缺點？ 微影製程 1. 詳細說明標準微影製程。 2. 說明並比較微影製程中三種主要的曝光方式。 3. 說明微影製程中光阻硬烤的目的為何？ 4. 比較正光阻與負光阻在矽附著性、Contrast ratio 、最小特徵尺寸、孔洞數、階梯覆蓋性、 濕蝕刻的阻擋性的差異。 面型微細加工 的乾式蝕刻中所用的四氟化碳， (a)是否易燃 ? (b)是否會造成窒息 ? (c)是否有毒性 ? 1. SiO 2 2. 畫出並簡述以面形微加工製作 Fixed-Axle Pin Joint(如下圖的製程流程) 包含截面圖及光( 罩 ) 3. 在 surface micromachining中可能產生的的 Interfacial stresses ( 兩面之間存在之應力) 主要 有那三種類型 ? 4. 請敘述面型微細加工時三種主要可能會發生的問題 ? 5. 請說明面型微細加工時 Stiction發生原因及解決方法為何 ? 1/5 6. 請說明下圖面型微細加工製程步驟 ? 無塵室構造 1. 請說明美國和日本對無塵室的定義及級別 2. 無塵室空調的溫濕度要求，與一般空調比較起來有何差異? 3. 一般微機電實驗室化學藥品可分為哪四類？ 4. 一般微機電實驗室廢氣來自於哪三方面？ 5. 一般微機電實驗室廢氣處理有哪幾種方式？ 體型矽基微細加工 1. 請比較三種矽塊材化學非等向性蝕刻 TMAH 、EDP 、KOH在毒性有無、矽蝕刻速率、 蝕刻面表面平坦杜、與 IC 製程相容性的差異。 2. 請分別以 Miller Index標示下圖中，矽晶格之晶面 . (a) (b) (c) 2/5 3. 請說明如何以 V-groove depth ruler作為蝕刻 {100}晶圓 30 micron 薄膜的厚度判斷。 4. 說明兩種以 etch stop 製作矽薄膜的方式。 5. 說明並比較兩種滲雜 (doping)的方式。 6. 假設矽晶圓在 KOH的蝕刻速率為 {100}方向：50 µm/hr, {110} ：70 µm/hr , {111} ：0 µm/hr 。. (a) 若以 500 µm 厚的 {100}晶圓，以下圖的蝕刻保護層，在 KOH蝕刻液進行蝕刻 2 小時之後，請畫出A-A剖面的幾何形狀並標示詳細尺寸。 50 400 100 100 300 400 110 A A {100} unit: µm (b)若以 500 µm 厚的 {110}晶圓，以下圖的蝕刻保護層，在 KOH蝕刻液進行蝕刻 2 小時之後，請畫出D-D, E-E, F-F剖面的幾何形狀並詳細標示尺寸。 400