斜位电流注入磁共振电阻抗成像犕犚犈犐犜与硬件设计.PDFVIP

波 谱 学 杂 志 第 卷第 期 ２４ ２ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．２ 年 月 ２００７ ６ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅ Ｊｕｎ．２００７ 　 ｇ 　  文章编号： （ ） １０００４５５６２００７０２０１８３０７ 斜位电流注入磁共振电阻抗成像 （ ）与硬件设计 犕犚犈犐犜 ， ， １２ １ １２ １ 巩玉香 ，王慧贤 ，王玉宇 ，杨文晖 （ 中国科学院 电工研究所生物工程部，北京 ； 中国科学院 研究生院，北京 ） １． １０００８０ ２． １０００４９ 摘 要：现有的磁共振电阻抗成像（ ）方法只适用于主磁场平行水平面的磁共振系统， ＭＲＥＩＴ 　 本文中提出了一种新的ＭＲＥＩＴ方法即斜位电流注入磁共振电阻抗成像，同时适用于主磁场 垂直于水平面的磁共振系统 硬件系统以磁共振主控计算机为控制中心，将 与 有机 ． ＭＲＩ ＥＩＴ 结合于一体：（）能够测量注入电流在成像体内部感应磁场的磁感应强度 （，，）；（）向成 １ 犅狓 狕 ２ 狔 像体注入电流；（）满足时序匹配要求；（）测量边界电压 文章还展示了利用此装置所得的 ３ ４ ． 初步实验结果． 关键词：磁共振电阻抗成像；硬件设计；斜位电流注入 中图分类号：Ｏ４８２．５３ 文献标识码：Ａ 　　 引言 磁共振电阻抗成像（ ）技术结 ＭａｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＩｍ ｅｄａｎｃｅＴｏｍｏｒａｈ ｇ ｐ ｇ ｐｙ 合了磁共振成像（ ）技术与电阻抗成像（ ＭａｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅＩｍａｉｎ ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＩｍ ｅｄａｎｃｅ ｇ ｇ ｇ ｐ Ｔｏｍｏｒａｈ）技术两大现代医学成像技术，是近年来发展起来的又一种新型的医学成像 ｇ ｐｙ 技术．ＭＲＥＩＴ技术利用成像体的边界电压与内部磁感应强度分布相结合来重建内部电 导率分布图像，改变了 技术