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* 3.4 半导体激光器的输出特性 本节进一步讨论光波系统应用中更直接关注的一些问题： 电光转换输出功率(L—I)特性 调制特性 噪声特性 3.4.1 L-I 转换输出特性 半导体激光器的基本功能是借助泵浦电流注入有源区，通过电子—空穴复合发光。利用速率方程（3.4.1--3）可以计算激光器的输出光功率与注入电流的关系，即L—I特性曲线，由此可得到阈值电流和输出功率。 * 例如，在室温下，阈值电流 Ith=20mA，在注入电流 I=100mA时，从激光器每端面能发射10mW输出功率。 温度提高时性能下降，阈值电流随温度按指数增长： 其中，I0是常数；T0是特征温度，代表Ith对温度的灵敏度。 对InGaAsP激光器，T0的典型值在50K～70K范围内，而对GaAs激光器，T0＞120K。 可见，InGaAsP激光器的性能对温度比较敏感，需用内装热电致冷器控制。工作于1.55μm的InGaAsP激光器，一般不能在100℃以上发光。 * 由A，B两段组成： A段：工作电流小于阈值电流 Ith ，属于自发辐射光，光能量很低； B段：工作电流大于阈值电流 Ith 时产生激光输出。 对典型的应用，取工作电流为: Ith +20mA，相应的光功率输出被认为是LD的输出功率。 图右侧纵坐标为LD的管压降，它与横坐标构成LD的伏安特性。 mA 1. LD的L-I特性 * (2) LD的管压降： pn结压降（导通电压） 串联电阻压降 在IIth 条件下，LD的管压降接近为常数。 从伏安特性可以求出Rs值，通常小于5?。 通常: GaAlAs材料，带隙宽，导通电压为1.2～1.5V; InGaAsP材料，带隙窄，导通电压为0.8～1V； * 图3.22展示了一个1.3μmBH InGaAsP激光器在10～130℃范围内不同温度时的L—I特性曲线，由此可得到阈值电流和输出功率。 2、温度特性 图3.22 1.3μm BH激光器的 输出功率—电流(L-I)特性曲线 * 可见LD的 Ith 对工作温度是十分敏感的，随着工作温度的提高， P-I特性曲线向右移动，这时阈值电流增大，斜率减小，见右图。 在进行脉冲调制时，在脉冲持续期内，结温及阈值电流随时间增加，输出功率则随时间减小，结果使脉冲波形失真，顶部衰减，这就是结发热效应。 (3-4-1ＬＤ的出光特性动画示意图) * 利用速率方程来讨论L—I曲线的特点和激光器的效率。 当 I≥Ith 时，光子数 P 随 I 线性增加 （3.4.6） 为光子寿命，激光器辐射功率与光子数的关系为 （3.4.7） 式中，vgαmir 代表能量为ω的光子从两端辐射的速率、p为光子数。 通过以上公式，可以求得辐射功率和激光器输出效率。 * ● LD的输出光功率 （3.4.8） 式中：I为注入电流； ?int 为内量子效率，测试表明，室温下其值为0.6～0.7； 为非全反射端面引起的透射损耗。 为谐振腔内总损耗； * ●外量子效率(总效率) 在阈值电流Ith以上，LD的输出功率与注入电流近似成线性，其外量子效率为 （3.4.11） * 定义总量子效率为ηtot=2Pe/(V0I)，V0为外加电压，ηtot与ηext的关系为 （3.4.13） 式中，Eg是禁带宽度。一般外加电压超过Eg/q，因而 ηtot＜ηext。 对GaAs激光器ηd [微分量子效率，与外量子效率关系为： ]超过80%，ηtot近似为 50%； 相对而言，InGaAsP 激光器一般效率较低，ηd 约为50%，而ηtot约为 20%。 * 3.4.2 调制特性 半导体激光器调制特性直接影响着光发送机和光波通信系统的性能，调制特性可从直接求解具有时变电流的速率方程(3.4.1)进行研究。 实际激光器存在的两种物理机制对速率方程的影响： (1)增益饱和效应。 当注入电流增大，因而光子数P增大时，G（光增益）出现饱和现象，这一因素导致P增大时G的减小。 (2)线性调频效应。 当注入电流为时变电流对激光器进行调制时，载流子数、光增益和有源区折射率均随之而变，载流子数的变化导致模折射率和传播常数的变化，因此产生了相位调制。 * 1. 小信号调制 在阈值以上偏置(Ib-Ith)，且调制信号幅值 I