电工电子技术上下册韩华电子课件第11章常用半导体器件(3677KB).pptVIP

佳木斯大学 电工教研室制 N沟道增强型MOS管以一块低掺杂P型硅片为衬底B，利用扩散工艺左右对称制作两个高掺杂的N型区，并分别引出源极s和漏极d，在P型半导体之上制作一层 绝缘层，再在层镀上金属引出栅极g。 2. N沟道耗尽型MOS管 N沟道耗尽型MOS管的结构图及符号如图所示，它是在制造MOS管时，在栅极下方的绝缘层中掺入大量正离子。 第11章 常用半导体器件 11.4 场效应晶体管 佳木斯大学 电工教研室制 11.4.2 场效应晶体管主要参数 1. 跨导 管子工作在恒流区且 为常量的条件下， 的微小变化量 与引起它变化的 之比，称为跨导 。 是转移特性曲线上某一点的切线的斜率，单位是S（西门子）， 其数值的大小表示 对 控制作用的强弱。 2. 开启电压 是在 为一常量时，使 大于零所需的最小 值。它是增强型MOS管的参数。 第11章 常用半导体器件 11.4 场效应晶体管 佳木斯大学 电工教研室制 3. 夹断电压 是在 为一常量时， 为规定