深亚微米FlashNVMIC单元结构的电子显微分析.PDF

( ) 第 44 卷 　第 1 期 复 旦 学 报 自然科学版 　 Vo1. 44 , 　No. 1 2005 年 2 月 Journal of Fudan University (Natural Science) 　 Feb. , 　2005 　 ( ) 　　文章编号 2005 　 　 　 深亚微米 Flash NVM IC 单元结构的电子显微分析 钱智勇 , 倪锦峰 , 陈　一 , 王家楫 (复旦大学 国家微分析中心 , 上海 200433) 摘 　要 : 随着集成电路特征尺寸的不断缩小 ,器件结构越来越复杂 ,应用电子显微分析技术对 IC 的特定部位进 行高空间分辨率的微结构分析 , 已成为 IC 新产品、新结构设计 ,新工艺开发和芯片生产质量保证的重要手段. 结 合深亚微米 IC 结构电子显微分析所涉及的 FIB 定位制样和 TEM 高分辨成像等关键技术的讨论 ,分析了一种新 ( ) 型的分立栅结构的深亚微米非挥发性闪烁存储器集成电路芯片 Flash NVM IC 的微结构特征 ,并从结构角度比 较了其与堆叠栅结构 Flash IC 的性能. 关键词 : 集成电路 ; 闪烁存储器; 结构微分析 ; 透射电子显微镜 ; 聚焦离子束 中图分类号: TN 403 ; TN 407 　　　　文献标识码 : A 电子显微分析技术在集成电路设计、制造和工艺开发过程中对微结构分析的重要作用已经使其成为 微电子技术发展的重要技术支撑. 随着集成电路的线宽尺寸不断缩小 ,对硅材料和工艺质量控制的要求 也越来越苛刻 ,工艺参数的控制容差将变得越来越小 ,这就需要发展相应的深亚微米集成电路结构分析技 术来监控整个工艺过程使之满足要求. 在集成电路工艺开发中 ,需要升级各单项工艺 ,用微分析技术对每 一道工艺的加工结果进行严格的工艺检查和反复调试才能确保每一道工艺都达到预期的目标. 对于失效 的器件 ,结构分析更是一种有效的失效分析手段. ( ) Flash 闪烁 存储器是 EEPROM 的一种 ,主要用于取代其他非挥发性存储器 ,如掩膜 ROM 、一次性编程 PROM 和 UVEPROM 等 , 以及用于替代硬盘作为计算机大容量存储媒体. 与 DRAM 相比 ,Flash 存储器具有 RAM 的读/ 写灵活性 ,且存取速度快 ,断电后能保留信息 ,随着器件尺寸的不断缩小 ,还表现出比 DRAM 更 高的集成度 ,近年来 Flash 技术发展迅速 ,应用也越来越广泛. 在 Flash 器件结构和工艺的设计和制造过程 ( ) ( ) 中 ,十分需要微结构分析技术的支持 ,其中扫描电子显微镜 SEM 和透射电子显微镜 TEM 是较为理想的 电子显微结构分析技术.