第一章节材料科学基础课件2010课件(17052KB).pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 活化晶格 Al2O3熔点高（2050oC），不利于烧结，若加入TiO2，可使烧结温度下降到1600℃，这是因为Al2O3 与TiO2形成固溶体，Ti4+置换Al3+后， 带正电，为平衡电价，产生了正离子空位，加快扩散，有利于烧结进行。 活化晶格 形成固溶体后，晶格结构有一定畸变，处于高能量的活化状态，有利于进行化学反应。 * Chapter1 Structure of Materials 固溶强化 溶质原子的溶入， 使固溶体的强度、 硬度升高 。 固溶强化 * Chapter1 Structure of Materials * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 半导体材料 掺杂半导体：Si、Ge 非化学计量半导体 正离子过剩（N型） 负离子过剩（P型） 负离子缺位：TiO2－x 间隙负离子：UO2+x 间隙正离子：Zn1+xO 正离子缺位：Fe1－xO 下标表示缺陷位置； 间隙位用下标i表示，M位置的用下标M表示，X位置的用下标X表示； 上标表示缺陷有效电荷。 正电荷用“?”（小圆点）表示，负电荷用“’ ”（小撇）表示， 零电荷用“×”表示（可省略）。 1.5.2 点缺陷的表示方法 主符号表明缺陷的主体； 空位V，正离子M、负离子X、杂质原子L（对于具体原子用相应的元素符号）。 * Chapter1 Structure of Materials ? ? ? í ì ? ? ? 表示缺陷的有效电荷 上标 表示缺陷的位置 下标 表示缺陷的种类 主要符号 表示意义 Chapter1 Structure of Materials 【例】NaCl晶体中可能出现的点缺陷： Na+格点位置的空位，表示为 。 由于Na+的缺失，该空位缺陷的有效电荷数是0? (+1) = ?1，所以上标是一小撇。 Cl?格点位置的空位，表示为 。 Cl?的缺失而出现的空位缺陷的有效电荷数是0? (?1) = +1，所以上标是一小圆点。 Na+处于间隙位置，表示为 。 缺陷的有效电荷就是Na+所带的+1价电荷，所以上标是一小圆点。 假设CaCl2混进NaCl晶体中形成缺陷，如果Ca2+取代Na+而进入Na+的位置，则缺陷表示为 ，其中缺陷的有效电荷为(+2) ? (+1) = +1。如果Ca2+进入间隙位置，则这种间隙式杂质缺陷表示为 。 * Chapter1 Structure of Materials 1.5.3 缺陷反应方程式简介 一些基本原则 位置关系 在化合物MaXb中，M 位置的数目必须永远与 X 位置的数目成一个正确的比例。例如TiO2在还原气氛中形成TiO2-x，表面上，Ti:O = 1:(2-x)，但实际上，生成了 x 个 ，位置比仍为 1:2。 质量平衡 缺陷方程的两边必须保持质量平衡。需要注意的是，缺陷符号的下标只是表示缺陷位置，对质量平衡没有作用，而VM为M位置上的空位，不存在质量。 电荷守恒 在缺陷反应前后晶体必须保持电中性，缺陷反应式两边必须具有相同数目总有效电荷。 * Chapter1 Structure of Materials 【例】TiO2中的几个缺陷反应： 有效电荷的确定： O的空位有效电荷为0-(-2)=+2 Ti4+在原位置变价为Ti3+，所以有效电荷(+3)-(+4)=-1 * Chapter1 Structure of Materials 写出CaCl2溶解在KCl中的缺陷反应式 3 种可能性： Ca2+取代K+，Cl-进入Cl-晶格位置： Ca2+取代K+，Cl-进入间隙位置： Ca2+进入间隙位置，Cl-占据晶格位置： * Chapter1 Structure of Materials 1.5.4 点缺陷对材料性能的影响 电、光、磁性能及加工性能 电阻增大 费米能级变化 原子扩散迁移加快 * Chapter1Structure of Materials * 2.4.2 Defect crystal properties （1）对力学性质的影响 晶体的机械强度大大降低 （2）对催化性能的影响 固相催化剂的催化性能与晶体表面有关，而晶体表面广义地说