微电子器件及工艺CAD 第一章 半导体器件模拟的物理基础.ppt

-1- B 非平衡情况 2008 《微电子器件及工艺CAD》 * 微电子中心 《微电子器件及工艺CAD》 * 第一章 半导体器件模拟 的物理基础 哈尔滨工业大学(威海) 微电子中心 2008年(春) 微电子器件与工艺CAD 半导体器件的制作和工作过程是一个非常复杂的过程，为了使其能够很好地工作，满足设计要求，传统的试制过程如下: 用户要求 器件横向设计 器件纵向设计 制光刻版 工艺设计 工艺流程 参数测试 不 合 格 不 合 格 合格 引 言 一般一次试制的样品其测量参数和用户的要求会有差异，这时需要修正器件的设计方案，包括横向及纵向设计方案，也就是要重复光刻制版制作、工艺设计、工艺流程、参数测试等步骤，需要经过数次设计方案的调整及数次的工艺流程，才能得到符合用户要求的试制品。显然，其过程很麻烦，时间会较长，费用大（制版、流片等）。 引 言 采用器件模拟技术后，器件的性能参数可以从理论计算上得到，其过程如下图所示： 用户要求 器件横向设计 器件纵向设计 器件模拟 工艺设计 工艺模拟 参数显示 不 合 格 不 合 格 合格 引 言 首先，按照用户的要求，进行新器件的横向结构及纵向结构设计，然后将这些设计参数送入器件/工艺模拟器（模拟程序）进行理论计算，器件特性参数的计算值会在器件模拟之后显示出来。显示出的参数与用户的要求进行比较。如不合要求，在对设计参数进行调整，重复上述模拟过程，直到满足用户的要求为止。 如果对一个半导体器件建立了正确的物理模型及数学模型，理论计算得到的参数应与测量值是一致的。 因此，半导体器件物理模型和数学模型的建立，显得十分重要。 引 言 可以看出，半导体器件的模拟(也称为数值模拟)的过程可以概括为对所研究的半导体器件建立或选用合适的物理模型，并抽象成数学表达式，然后利用适当的数值方法，开发计算机软件(模拟程序)，输入所研究器件的工艺、几何尺寸、电学等方面的模型参数，用计算机计算得到器件的特性及其内部的物理图像。 对于半导体器件模拟程序来说，器件模拟就是从电子和空穴的输运方程、连续性方程和泊松方程出发，通过计算机解出器件中的电势分布和载流子浓度分布，从而得到器件的电流电压特性，并可计算出器件模型参数。 引 言 因此，本章将回顾半导体器件中描述载流子特性的基本物理方程。 载流子浓度 Poisson方程 载流子输运方程 连续性方程 引 言 §1-1 载流子浓度 载流子浓度 1.本征半导体 式中mn*和mp* 分别为电子和空穴的有效质量，m0是电子的惯性质量，T是绝对温度，Eg是半导体材料的禁带宽度，K是玻尔兹曼常数。 2.杂质半导体 （1）非简并情况 载流子浓度（续） Ec EF Ev Eg Ec EF Ev Eg N型 P型 A 平衡态 对于一般掺杂浓度的杂质半导体，即非简并半导体，费米能级EF 在禁带中，而且， 或 ，这时导带电子和价带空穴服从玻尔兹曼分布，它们的浓度分别为 式中Ec和Ev 分别为导带底及价带顶的能量，Nc和Nv分别为导带底及价带顶的有效状态密度。 上面的两个式子也可以写成 ? ? ? è ? - = - - - = ? ? ? è ? - = - - - = kT E E n kT E E kT E E N p kT E E n kT E E kT E E N n F i i F i v i v i F i i F i c c exp ) exp( )] exp( exp ) exp( )] exp( [ 载流子浓度（续） ? ? ? è ? - = - - - = ? ? ? è ? - = - - - = kT E E n kT E E kT E E N p kT E E n kT E E kT E E N n F i i F i v i v i F i i F i c c exp ) exp( )] exp( exp ) exp( )] exp( [ 式中Ei 为本征半导体的费米能级。 如果定义静电势 和费米电势 则上二式可表示为 载流子浓度（续） 式中Ei 为本征半导体的费米能级。 如果定义静电势 和费米电势 则上二式可表示为