第3章全息存储的记录材料.pptVIP

第三章 全息存储的记录材料 3.4.1 光折变材料的全息存储机理与特性 3.4.1 光折变效应简介 光折变效应是光致折射率变化效应的简称，其含义是电光材料在光辐照下，折射率随光强的空间分布而变化。 光折变效应首先是由贝尔实验室工作的Ashkin等人于60年代发现的。当初称为光损伤。 光致折射率变化与通常在强光作用下所引起的非线性折射率变化的机制完全不同，后者起因于光致瞬态非线性电极化。 光折变材料具有较大的电光系数，与一般在高功率激光场作用下的非线性光学材料相比有两个显著的特点 （1）光折变材料的光学非线性效应与光强无关。 （2）光折变材料具有非局域响应。 光折变材料能做成各种用途的非线性光学器件。如体全息实时存储器、光放大器、光振荡器、相位共轭器、空间光调制器等。 折射率光栅的建立 (1) 在适当波长的空间非均匀分布的光辐照下，晶体内的施主(受主)心被电离产生电子(空穴)；同时电子(空穴)从中间能级受激跃迁至导带(价带)。 (2)?光激发载流子在导带(价带)内可自由迁移；光激发载流子具有三种迁移机制：扩散 (载流子由于浓度不同而扩散迁移)、漂移 (载流子在外场或晶体内极化电场作用下的漂移) 和异常光生伏打效应 (均匀铁电体材料在均匀光照下，产生沿自发极化方向的光生伏打电流)。在光折变效应中，上述三种迁移机制单独作用或联合作用完成了光折变晶体内部载流子的迁移过程。 折射率光栅的建立 (3)?? 迁移的电子(空穴)可以被重新俘获，经过再激发、再迁移、再俘获，最终离开光照区而在暗光区被电子(空穴)陷阱俘获。由此导致晶体内空间电荷分布的变化，使空间电荷分离，从而形成了相应于光场分布的空间电荷场。 (4)?? 空间电荷场通过线性电光效应(泡克尔斯效应)，在晶体内形成折射率的空间调制变化，产生折射率调制的位相光栅。 折射率光栅的建立 光折变效应的物理过程可概括为： （1）非均匀分布的光激发载流子的过程； （2）光激载流子迁移和被俘获导致空间电荷场产生的过程； （3）空间电荷场通过线性电光效应引起的折射率调制过程。 光折变过程的能级图 以Fe:LiNbO3为例说明 Fe3+和Fe2+ (a)光电离，(b)扩散，(c)复合，(d)形成空间电荷并产生电场。Fe2+杂质中心作为施主，电离后变成Fe3+，而Fe3+中心作为陷阱，复合后变成Fe2+。 光折变过程 1. 带输运模型 2. 驱动光强 2. 驱动光强 3. 光致空间电荷场 3. 光致空间电荷场 （3）认为光强的调制度M(z)1且?M(z)/?xk，则可以忽略受空间调制的各个参数N+D、?、及Esc的傅立叶级数展开式中的高阶项，认为它们与光强有相同的分布，其形式为： 3. 光致空间电荷场 3. 光致空间电荷场 接下来的内容是根据带输运模型，在前面的假设条件和对称记录光路下求解空间电荷场。因为知道了空间电荷场后，就可以通过线性电光效应求解折射率的分布，从而利用耦合波理论可以确定衍射效率等重要参数，这是我们最关心的。 3. 光致空间电荷场 由方程(5)知，在初始状态(t=0)时，有 3. 光致空间电荷场 将(7)代入方程(6)有： 3. 光致空间电荷场 3. 光致空间电荷场 一些电场的定义如下： 3. 光致空间电荷场 那么方程（15）（16）可以写成 3. 光致空间电荷场 由方程(13)可推出 3. 光致空间电荷场 电子光栅建立时间 3. 光致空间电荷场（完） 令 作 业 请详细描述在光折变材料中，折射率光栅的建立过程。 4. 折射率调制的位相光栅 晶体光学基础知识 电光效应 两波耦合 晶体光学基础知识 晶体结构的主要特点是组成晶体的各基元（原子、分子、离子或其集团）在空间排列组合时，表现出一定的空间周期性和对称性。这种特点导致了晶体宏观性质的各向异性。光学特性也表现出各向异性。 晶体光学基础知识 晶体光学基础知识 晶体光学基础知识 晶体光学基础知识 电光效应 当加到介质上的电场较大，足以将原子内场（约为3*108 V/cm）扰乱到有效程度，就可以使本来是各向同性的介质产生双折射，本来是光学各向异性的晶体其双折射特性发生变化。这种因外加电场使介质光学性质发生变化的效应，叫电光效应。 电光效应 电光效应 电光效应 电光效应 电光效应 电光效应 电光效应 电光效应 电光效应 电光效应 3.4.2 光折变晶体内的两波耦合和衍射效率 在光折变晶体内，由入射光波所写入的相位光栅又同时引起入射光波的相互耦合，从而使它们的光强和位相随传播距离而不断变化。光波的这种变化又影响后继光栅的写入，这样在光折变晶体内所记录的是一种动态的体相位栅。与以前介绍的恒定光栅不同，这里是一种自洽偶合过程。 下面推导双光束在其所写入的动态体相位光栅作用下的耦合波方程。 两波耦合 两波耦合 两波耦合 两波耦