缺陷及掺杂对若干磁性功能材料物性的影响第一性原理研究.pdfVIP

摘 要 本论文采用第一性原理计算方法研究了部分新型磁性功能材料的电子结构，重点讨论 了掺杂和缺陷对功能材料的电学，磁学等物理性质的影响。主要内容包括以下几个方面： 杂Fe(Cr)的磁矩降低而Re的磁矩增加，体系的总自旋磁矩线性降低。随着掺杂浓度的增 加，自旋向下能带中的局域电子和离域电子之间的成键和反键相互作用增加，从而导致了 耦合增强。计算表明掺杂Cr提高了体系的铁磁耦合强度从而提高了系统的居里温度％。 表明完整构型的Sr2CrM006具有半金属的特性。在磁超胞内，只有氧空位单独存在时才能 维持这种半金属性；当存在25％反位缺陷或者同时存在一个氧空位时，系统显示金属性； 当反位浓度增加到50％或者同时还考虑氧空位(一个或者两个)时，体系仍然维持这种金 属性；但是，当样品中含有两个氧空位同时发生25％的反位时，体系可能会出现非金属的 特性。实验上观测的磁矩减少主要来源于无序样品中Cr．0一Cr(Cr．Cr)之间的超交换反铁 磁耦合。 子Zn2+后，系统的晶格常数稍微降低，同时发生从亚铁磁到反铁磁的磁相变。当掺杂组份 为0≤z≤O．5时，晶体为半导体，当0．75≤z≤1．0时，晶体为绝缘体。我们的计算表明实验 上观测的FeCr2S4的半导体行为是Jahn，TeUer效应和在位库仑效