半导体元件合金制程作者： 苏汉儒.PDFVIP

半導體元件合金製程 作 者 ： 蘇 漢 儒 半導體元件合金製程 完成鋁金屬導線製程的晶片必須 經過合金( Alloy ) 的製程，使鋁 金屬導線層能與矽密切熔合，使 鋁金屬導線層能具有低阻抗的導 電特性。鋁與矽完全熔合的最低 溫度是577 ℃。 2 半導體元件合金製程 如果最低溫度超過577 ℃鋁與矽 混合物將會熔解，因此使用低溫 擴散爐做合金( Alloy ) 製程，其 製程溫度設定在450℃至550 ℃ ，製程時間約 10 分鐘至30 分鐘。 3 半導體元件退 火製程 完成合金( Alloy ) 製程的晶片， 必須經過退火( Anneal ) 的製程。 其目的為藉由逐漸降溫的過程， 使晶片的材質增加軔性 ，不易脆 裂 ，並使元件的特性參數穩定 。