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磁性元件设计对损耗和EMI的影响
磁性元件设计对损耗和EMI的影响
陈 为 博士
chw@fzu.edu.cn
福州大学电气工程与自动化学院教授，博导
中国电源学会常务理事，专家委员会副主席
磁技术专业委员会主任委员
高性能LED驱动技术分享与实战技术研讨会
2013.04.20 宁波
主要内容
LED驱动电源的要求
磁性元件
磁件绕组高频损耗的机理
降低绕组损耗设计要点(LLC)
磁元件对差模噪声的影响机理
降低和控制差模噪声的设计要点(PFC)
磁元件对共模噪声的影响机理
降低和控制共模噪声的设计要点(Flyback)
LED 电源的要求
高功率密度，高可靠性
体积小 损耗小
电容 磁元件 滤波器 磁元件 开关器件
拓扑 高频 原始 磁芯 器件
高频 设计 噪声小 绕组 控制
磁元件设计考虑要点
结构设计 电气设计 杂散参数 损耗设计 EMI设计
N 2 Ae
L
l
e
导体高频涡流损耗机理
集肤效应 J(r)
H(t) H(t)
Jtotal Jeddy
Jeddy
Jsource
r r
i(t) Jsource
-R 0 R
Jtotal = Jsource + Jeddy
邻近效应 H(t)
Jeddy
气隙
由于涡流效应，导致电流密度分布不均匀，从而引起损耗的增加
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