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计算机组成原理computer organization principle;第4章存储系统;目录;存储器为中心的计算机结构;4.1分级存储体系4.1.1 对存储系统的性能要求;存储容量单位;4.1.1 对存储系统的性能要求;4.1.1 对存储系统的性能要求;4.1.2 存储系统的分层结构;2.存储器访问的局部性原理;2.存储器访问的局部性原理;3.存储层次的性能参数;3.存储层次的性能参数;举 例;4.1.3 虚拟存储器;2.虚拟存储器的特点;3.页式虚拟存储器;页表;(2)地址转换机构;举例;举例;(3)快表;4.段式虚拟存储器;5.段页式虚拟存储器;4.1.4 Cache—主存结构;Cache的实例;2.Cache的读写过程;(2)写操作;3.Cache的基本结构与工作原理;常用算法;4.地址映像;(3)组相联映像; 0 1 9 14 15;WINDOWS中的虚拟存储管理;WINDOWS中的虚拟存储管理;;4.2.2主存记忆元件 ;1.RAM记忆元件;(1)SRAM记忆元件;①SRAM六管记忆单元电路;DRAM记忆元件是靠MOS管栅极电容上的电荷保存信息,也称电荷存储型记忆元件。 图4-16是单管动态MOS电路,它只由一个MOS管和一个电容C组成。当字线W为高电平时,该存储单元被选中。 执行写操作时,如写“1”,位线处于高电平,对电容C充电;如写“0”,位线为低电平,电容C上的电荷很快被释放掉。 执行读操作时,如原存“1”,电容C充有电荷,在位线上产生电流,可视为读出“1”;如原存“0”,电容C无电荷,故位线上无电流,可视为读出“0”。 ;(2)DRAM记忆元件;(3)MRAM (Magnetic Random Access Memory)记忆元件 ;2. ROM(Read Only Memory, ROM)记忆元件;(2)可编程的只读存储器PROM;(3)可擦除可编程的只读存储器EPROM(Erasable PROM) ;(3)可擦除可编程的只读存储器EPROM(Erasable PROM);(4)电可擦可编程只读存储器E2PROM(Electrically Erasable PROM);4.2.3 主存储器的组成;(1)位扩展方式;(2)字扩展方式;(3)字、位扩展法;2.地址编码与译码;(2)双译码方式:又称重合法, 适用二维编址方式。通常把K位地址线分成接近相等的两段, 分别供X地址和Y地址译译码器译码。X和Y方向的选择线在存储体内的每个单元交叉,以选择相应的记忆单元。 ;3.读/ 写操作与时序;4.2.4 内存条;(3)SODIMM(Small Outline DIMM,小型双列存储器模块）(4)RIMM(Rambus In-line Memory Module, Rambus双列存储器模块) ;2.内存工作模式;2.内存工作模式;(4)RDRAM(Rambus DRAM）;小知识:内存不足的原因;4.2.4 并行存储结构;2.多体存储器的寻址方式;3.多体交叉寻址方式;3.多体交叉寻址方式;4.2.5 相联存储器(Associative Memory);1.相联存储器的基本组成和工作原理;2.相联存储器的应用;4.3 辅助存储器4.3.1辅助存储器的主要技术指标;2.存储容量;3.寻址时间;4.数据传输率;设有一个盘面直径主18英寸的磁盘组, 有20个记录面, 每面有5英寸的区域用于记录信息, 记录密度为100道/英寸(TPI)和1000位/英寸(bpi), 转速为7200转/分, 道间移动距离为0.2ms, 计算该盘组的容量和数据传输率。 解：每一记录面的磁道数N为： N＝5英寸/面×100道/英寸＝500道/面 最内圈磁道的周长为： L＝π×（18－2×5）＝25.12英寸 以最内圈磁道的周长当作每条磁道的长度，故该盘组的存储容量（非格式化容量）为： C＝1000位/英寸×25.12英寸/道×500道/面×20面＝251.2×106＝31.4×106B 磁盘旋转一圈的时间为： t＝（1／7200转/分）×60＝0.0083秒＝8.3毫秒 数据传输率为: R＝每道容量／旋转一圈的时间＝25120／8.3＝3019.2位／毫秒＝3.0192×106位/秒＝0.3774×106字节/秒＝0.3774兆字节/秒（MB/S）;4.3.2 磁表面存储原理;4.3.2 磁表面存储原理;(1)归零制(NRZ):用正脉冲写入1, 用负脉冲写入0, 每写完一位, 写入电流必须恢复到0。 (2)不归零制(No Return to Zero,NRZ):特点是线路中始终保持电流, 正方向电流写入1，反方向电流写入0, 特点是:对连续记录的多位1或0, 写电流方向不变。 (3)不归零—1制(NRZ—1)