第九讲硅片加工技术课件(2180KB).pptVIP

硅片清洗及化学品 四：干式清洁技术与化学品 干式清洗，即所谓的气相清洁技术，利用气态臭氧、HF、HCl等替代。 硅片加工技术及化学品 硅片加工技术 一：硅片成形概述 硅片成形指的是将硅棒制成Si晶片的工艺过程 主要步骤：切片、结晶定位、晶边圆磨、化学刻蚀、缺陷聚集及各步骤之间所需的清洗过程。 硅片成形工艺目的：提高硅棒的使用率，将硅材料的浪费降至最低，提供具有高平行度与高平坦度且表面洁净的晶片，保证晶片表面在晶体学、化学与电学特性等与其内部材料一致；晶片成形过程中的工艺易在晶片表面形成许多微观缺陷。 硅片加工技术 二、切片 切片决定了晶片的几个重要规格：表面晶向、晶片厚度、晶面斜度、曲度。 1、晶棒固定（单晶硅切片前，晶棒已磨好外径与平边） 硅棒在切片前是以蜡或树脂类的黏结剂粘附于与硅棒相同长度的石墨上；石墨起支撑作用、防切割过程中对硅片边缘造成崩角现象 硅片加工技术 2、晶向定位（单晶硅） 单晶硅棒的生长方向为（1 0 0）或（1 1 1），可与其几何轴向平等或偏差一固定角度。切片前，利用X光衍射方法调整硅棒在切片机上的正确位置。 硅片加工技术 3、切片（决定晶片在随后工艺过程中翘曲度的大小） 线切割：高速往复运动的张力钢线或铜线上喷洒陶瓷磨料或聚乙二醇与SiC按1：0.8比例混合均匀的切割液，切割晶棒；线切割是以整支晶棒同时切割，加工出的Si片曲翘度特性较好