§2Intel8086系统结构11课件(2615KB).pptVIP

2. 最大方式下的存储器读写周期 1) 最大方式存储器读周期 图2.22 8086存储器读周期时序(最大方式) (1) 在每个总线周期开始之前的一段时间， 必定被置为高电平，即 ＝111。 (2) 最小方式下由CPU直接产生的ALE， 等控制信号，在最大模式下由总线控制器8288产生。 , , , , (3) 在最大方式下，读存储器用 是像最小方式中用 信号的组合来表示。 和 / *信号，而不 最大方式下的存储器读周期时序与最小方式下的读周期时序相类似，所不同的只有以下几点： (4) 在读周期的T3状态，当CPU读取总线上的数据后， 便全部变为高电平( T4状态。一旦进入无源状态就意味着很快可以启动一个新的总线周期。 (5) 等待状态TW的插入过程与最小模式时相同。 (6) 在T4状态，数据从总线上消失，状态信号引脚S7～S3进入高 则按照下一个总线周期的操作类型产生变 ＝000～110)。 , , , , ＝111)，即进入无源状态，并一直保持到 阻抗状态，而 化(即 2) 最大方式存储器写周期 图2.23 存储器写周期时序 (最大方式) 由图可知，最大方式下的写周期时序与前述的读周期时序有很多相同之处，例如： (1) 和读周期一样，在总线写周期开始之前， 已经按照操作类型设置好相应的电平。 中的变化情况与最大方式下该周期中的变化是