§29第1章电路与电路模型3章节(2724KB).pptVIP

最大漏极电流IDM 击穿电压UBR 最大漏极耗散功率PDM ⑤场效应管与晶体管的比较 场效应管内部只有多子运动——单极型管，晶体管内部既有多子运动又有少子运动——双极型管 场效应管由电压uGS控制电流iD，晶体管由电流iB控制电流iC 场效应管温度稳定性优于晶体管 场效应管输入电阻高于晶体管 场效应管源极与漏极可以互换，晶体管发射极与集电极不能互换 2、 N沟道增强型MOS场效应管模型 由N沟道增强型MOS场效应管组成的电子电路 + + - - ui uO RD RG UDD UGG RL C1 C2 ui足够小条件下，将静态工作点Q附近场效应管特性线性化，根据叠加定理，场效应管电压uGS = UGSQ+ugs、uDS = UDSQ+uds，电流iD = IDQ+id ——电子电路的动态分析=静态分析+交流小信号分析 电子电路的静态分析——静态工作点Q——偏置UGG、UDD单独作用时场效应管电压UGSQ、UDSQ，电流IDQ 电子电路的交流小信号分析——静态工作点Q附近——交流小信号ui单独作用时场效应管电压ugs、uds，电流id 偏置UGG、UDD单独作用时 图解——输入电路线性部分——输入直流负载线 输入电路非线性部分——场效应管输入特性 RD UDD RG UGG UGG iG/μA GS/V . 图解——输出电路线性部分——输出直流负载线 输出电路非线性部分——场效应管输