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第二篇 电子技术基础 第3章 常用半导体器件 本 章 要 点: 1. 半导体二极管 2. 半导体三极管 3. 场效应管 4. 晶闸管  教 学 要 求本章以半导体硅(Si)、锗(Ge)为例，介绍半导体二极管、半导体三极管、场效应管和晶闸管等半导体器件。通过对本章的学习，要求掌握半导体器件的结构分类、基本特性、参数、温度特性和型号命名等内容，为今后分析电子线路和选用电子元件打下基础。 3.1 半导体二极管 1.半导体导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 2.半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应管等。 3.半导体二极管是半导体器件中最基本的一种器件。一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管,具有单向导电性能。从P型半导体引出的极为正极，从N型半导体引出的极为负极。 半导体二极管用图3-1a所示的符号来表示。导通方向 正极 P 负极 N图3-1a半导体二极管符号 3.1.1 半导体二极管的基本结构和分类 1．半导体二极管的基本结构 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图3-2（a）、（b）、（c）所示。 （1）点接触型二极管——PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （2）面接触型二极管——PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 （3）平面型二极管—往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 2．半导体二极管的基本分类 （4）稳压二级管：稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低的多。其击穿点处，曲线弯折特别尖锐，反向电流剧增， 但电压几乎保持不便，只要在外电路中设置限流措施，使稳压管始终保持在允许功耗内，就不会损坏管子，稳压管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的击穿是不可逆的。稳压二极管多采用硅材料制成。（5）发光二级管：(LED)是在半导体p-n结或类似的结构中通以正向电流，以高效率发出可见光或红外辐射的器件。由于它发射准单色光、尺寸小、寿命长和廉价，因此被广泛用作仪表的指示器、光电耦合器和光学仪器的光源等领域（6）变容二级管：变容二极管是利用PN结电容随外加反向偏压变化的特性制成。在零偏压时，结电容最大， 临近击穿时，结电容最小。 两者之比则为其结电容变化比。从导通曲线可以看出，结电容变化呈现非线性。变容二极管一般总是接在谐振回路使用，以取代传统的可变电容，因此必须要有足够的Q值，显然，随着频率的升高，Q降低，因此定义为Q=1时为截止频率。使用时必须低于截止频率。 3.1.2 半导体二极管的特性 半导体二极管的伏安特性曲线如图3-3所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 图3-3 二极管的伏安特性曲线 3.1.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： （1）最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 （2）反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM——二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 （3）反向电流IR——指管子末击穿时的反向电流， 其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(mA)级。 （4）正向压降VD——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.7V；锗二极管约0.3 V。 （5）动态电阻rd——反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即?rd =△VD /△ID