IGBT应用指引-半导体事业部.PDF

IGBT应用指南 --3300V 系列 中国中车3300V 系列 IGBT 应用技术指导 目次 1. 引言 1 2. IGBT重要参数 1 2.1 静态参数 1 2.2 动态参数 2 2.2.1 IGBT开通参数 3 2.2.2 IGBT关断参数 4 2.2.3 IGBT内部续流二极管反向恢复参数 4 3. IGBT的反向偏置安全工作区RBSOA （Reverse Bias Safety Operation Area） 5 4. IGBT的短路 8 5. IGBT保护 9 5.1 栅极过压保护 9 5.2 过流保护 9 5.3 短路保护 11 6. IGBT储运及安装 11 6.1 储运注意事项 11 6.2 安装方法 11 6.3 导热硅脂涂覆 13 6.4 导热硅脂涂覆实例 15 6.4.1 涂敷步骤 15 6.4.2 安装效果 16 6.5 相关热参数 17 7. 供方地址 18 I 株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 中国中车3300V 系列 IGBT 应用技术指导 1. 引言 IGBT （Insulated Gate Bipolar transistor）绝缘栅双极型晶体管是一种大功率半导体电压 型全控型器件，在轨道交通、变频器、直流变换、发电输电等领域都有极为广泛的应用。目前 商业化比较成功的 IGBT 电压等级最高可达到 6500V，可关断电流最大可以达到 3600A 。从 理论上讲，由于 IGBT 是电压型器件，只需要对 IGBT 的栅极施加一定幅值的电压，就可以使 IGBT 开通、关断，所以 IGBT 的应用非常方便。 本文件主要介绍中国中车 3300V 电压等级 IGBT 的相关参数和应用基础知识。 以中国中车时代电气公司生产的 TIM1500ESM33 型 IGBT 为例介绍中国中车 IGBT 的命 名规则。 表示时代电气公司（TEG ） 表示模块 Module T I M 1500 E S M 33 该数字的 100 倍表示该 IGBT 的额定电压值。 表示 IGBT 该字母表示 IGBT 基板使用的材料。M 表示使 用的是碳化硅铝 AlSiC 基板。S 表示使用的是 铜基板。 表示 IGBT 的额定电流 表示内部电路结构类型，S 表示单管（Single switch ），H 表示半桥（Half bridge），C 表示斩 波（Chopper），D 表示双管（Dual switch）， 更多尺寸类型请见中国中车 IGBT 产品手册）。 表示模块尺寸类型， E 型的基板尺寸为 190mm×140mm，更多尺寸类型请见中国中车 IGBT 产品手